第三章 存储器

存储器的基本结构

• 构成

• 片选线
  • 是否选中此芯片，用于容量扩充
• 读写控制线
• 数据线（双向）
• 地址线（单向）
• 地址译码器
• 读写电路
• 储存矩阵
  • 大小计算 数据线数 * 2^地址线数

半导体储存器

随机存取，指存取的速度和位置无关
主存带宽 单位时间数据传输量

• RAM （断电丢失数据）[主存]

• SRAM 触发器储存信息 用于高速缓存存储器（Cache）

• DRAM 电容储存信息 用于主存

• 

• 刷新

  • 原因 ： RAM会以电容作为储存单元，电容会不断掉电，所以要对数据进行刷新
  • 一般电容每2ms就需要刷新一次，一行一行刷新，且每行不能并行刷新
  • 集中刷新
    • 在2ms找到一个集中时间刷新，集中时间刷新的时候不能被访存，称为死区
  • 分散刷新
    • 每次读取完刷新一次，刷新次数过多
  • 异步刷新
    • 每隔一定时间刷新一行，因为每次存取完都要对数据进行一次处理，合理安排可以减小刷 新带来的影响
  • 注意
    • 在进行存储器扩充的情况下，所有的芯片的同一行同时进行刷新
    • 不需要CPU控制

• ROM

• 存放固定的数据，现在可写但速度也非常慢，信息断电后不丢失

• 寄存器和储存器的连接

• 做题

• 低位交叉编址

• 设置多个存储体，每个存储体可以并行，连续的数据存取可以流水线工作

• 

Cache

• 性能提高

• 为什么
  • cache访存更快
  • 局部性原理
  • CPU的访存是以机器字长为单位的，而cache可以一次性访存多个单位
• cache的总命中次数为n 访问主存的次数为m
  • 命中率 = n/(n+m)
• 效率提高
  • 无cache的时间/有cache的时间

• 地址映射

• 地址
  • 主存标记： 判断所需数据是否在cache中
  • 组地址/cache字块内地址
    • 地址能表示所有的组
    • 根据物理地址对应的组地址来找相应的组
  • 字块内地址 来寻找字块内相应的地址
  • 物理地址 = 字块内地址 + 组地址 + 主存标记
• 直接映射
  • 每个主存块之和一个缓存块对应
  • 优点
    • 实现简单
  • 缺点
    • 不够灵活，命中率低
• 全相联映射
  • 每一个主存块都可以存放到任意缓存块中
  • 优缺点和直接映射相对应
• 组相联映射
• 是直接映射和全相联映射的折中，相当于直接映射的每个缓存块变成了组，每个组中有n个缓存块就叫 n路组相联映射
• 

  CPU访问储存系统的的直接流程

  • 虚拟存储器

    • 利用局部性原理，将物理内存在逻辑上看来有更大的空间，所以虚拟地址要比物理地址要长，
    • 将虚拟地址和物理地址通过页表做映射，详见操作系统

  • 流程

  • 用户给出逻辑地址
  • 通过逻辑地址在快表（类似于页表的cache）中寻找，不命中，寻找页表，不命中说明数据未调入主存，发起页面中断，从辅存中调入，并更新页表和快表，得到物理地址
  • 先访问cache，未命中，访问主存（主存中一定有，因为已经调入），调入cache，得到数据

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