光耦(Optocoupler)作为电气隔离的核心器件,其内部结构由发光二极管(LED)和光敏三极管组成,通过光信号实现输入与输出的电隔离。
光耦核心特性:
- 电气隔离能力:输入/输出端可承受2500V以上交流电压(如TLP521系列),有效阻断共模干扰
- 信号传输方向:单向传输特性,避免信号回流导致的逻辑混乱
- 典型参数指标:
- CTR(电流传输比):50%~600%(TLP521为例),决定输入输出电流比例
- 响应时间:导通延迟约2μs,截止延迟15μs(高速应用需选6N137等型号)
废话不多说,这里以实际项目应用为例,介绍利用TLP521型号光耦完成3.3v单片机信号控制5v信号开闭。这里尽量将单片机控制信号放到光耦输入端负极,单片机低电平驱动能力更强,这种设计也是工业控制和高可靠性系统中的常见做法。
根据TLP521光耦应用手册,输入端If在10mA时,二极管正向压降为1.0-1.3v,按照典型值1.15v计算,那么R46 =(3.3-1.15)v/10mA = 215Ω,这里选择210Ω电阻作为其输入端限流电阻,R25为上拉电阻。再根据CTR(电流传输比)来计算输出端所需的电阻值,如下图所示:
TLP521的CTR为50%-600%,我们这里选择的If为10mA,所以按照最低CTR来计算的话,目标输出电流Ic =10mA×50%=5mA =>R26=5v/5mA=1kΩ,这样5v输出端电阻值就得出来了。
再看一个NPN传感器应用,在某些设备控制应用中,需要用到限位传感器,这些传感器宽电压一般在10v-30v,这里使用12v电源给NPN传感器供电,同时,将NPN信号线拉高到12v,那么在未感应到物体时,传感器信号线电平为高电平,也就是12v,在感应到物体后,传感器信号线会变为低电平。
根据之前提到的方法来计算12v输入端的输入电阻,这里还是取If为10mA,那么R7=(12-1.15)v/10mA=1085Ω,所以取输入电阻为1k,按照CTR为50%来计算这里的输出电阻,那么R6=3.3v/(10×50%)mA=660,这里取输出电阻值为680Ω或者1k都可以满足使用要求。这样就完成了单片机读取高电压电平的功能。
注:以上计算得出的输入输出电阻值也可以进行替换,只要满足表中范围内的要求即可驱动,按实际经验,光耦在5mA电流以上也可以满足导通条件,用户可以根据实际应用场景选取不同阻值。