操作系统基础知识介绍之内存技术和优化（二）（包括闪存、相变内存技术等）

闪存

闪存是EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）的一种，通常是只读的但可以被擦除。 闪存的另一个关键特性是它可以在没有任何电源的情况下保存其内容。 我们专注于NAND Flash，它比NOR Flash密度更高，更适合大规模非易失性存储器； 缺点是访问是顺序的，写入速度较慢。

闪存是一种电可擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM），具有非易失、读写速度快、抗震、低功耗、体积小等特性，目前已广泛应用于嵌入式系统、航空航天、消费电子等领域。闪存存储器主要分为NOR型和NAND型两种，NOR型闪存有独立的地址线和数据线，它支持按位进行访问，具有高可靠性且随机读取速度较快，但NOR闪存的擦除和写操作速度较慢、容量小、价格昂贵，主要用于存储程序代码并在内存中直接运行。NAND闪存相对于NOR型闪存拥有更大的容量，适合进行数据存储。此外，它类似于传统的机械硬盘，对于小数据块的操作较慢，对于大数据块操作较快。NAND闪存根据其芯片单元所能存储的比特位数又可分为单级晶胞(SLC)和多级晶胞(MLC)两类。

 闪存使用与标准 DRAM 截然不同的架构并具有不同的属性。 最重要的区别是：

1. 读取闪存是顺序的，读取整个页面，可以是 512 字节、2 KiB 或 4 KiB。 因此，NAND 闪存从随机地址访问第一个字节有很长的延迟（约 25 μS），但可以以约 40 MiB/s 的速度提供页面块的其余部分。 相比之下，DDR4 SDRAM 的第一个字节大约需要 40 ns，并且可以 4.8 GiB/s 的速度传输其余行。 比较传输 2 KiB 的时间，NAND Flash 大约需要 75 μS，而 DDR SDRAM 需要不到 500 ns，使 Flash 慢了大约 150 倍。 然而，与磁盘相比，从闪存读取 2 KiB 的速度要快 300 到 500 倍。 从这些数字中，我们可以看出为什么Flash不是替代DRAM成为主存的候选者，而是替代磁盘的候选者。

2.闪存在被覆盖之前必须被擦除，并且它是以块而不是单个字节或字的形式擦除的。 此要求意味着当必须将数据写入闪存时，必须组装整个块，作为新数据或通过合并要写入的数据和块的其余内容。 对于写入，闪存比 SDRAM 慢约 1500 倍，比磁盘快约 8-15 倍。

3.闪存是非易失性的，并且在不读取或写入时消耗的功率要少得多。

4.闪存限制可写入任何给定块的次数，通常至少为 100,000 次。 通过确保写入块在整个内存中的均匀分布，系统可以最大限度地延长闪存系统的使用寿命。

与 DRAM 一样，闪存芯片包含冗余块，以允许使用具有少量缺陷的芯片； 块的重新映射在闪存芯片中处理。 闪存控制器处理页面传输，提供页面缓存，并处理写均衡。

相变内存技术

相变内存技术是一种利用材料在不同物理相之间切换来存储数据的技术，相变存储器（PCM）是一种基于相变内存技术的非易失性随机存取存储器。相变存储器具有以下特点：
非易失性：即使断电，数据也不会丢失。
读写速度快：比闪存快1000倍，比DRAM快10倍。
存储容量大：可以实现多位单元（MLC）和三维堆叠（3D XPoint）。
耐久性高：可以实现无限次的写入操作。
耗电低：不需要刷新电路来维持数据。
抗辐射强：可以在高温、高压、高辐射等恶劣环境下工作。
相变存储器的主要应用场景有：
嵌入式系统：可以提供高速、低功耗、高可靠性的数据存储和计算功能。
存储级内存（SCM）：可以作为内存和硬盘之间的缓冲层，提升系统的性能和效率。
人工智能（AI）：可以实现基于尖峰的神经网络算法，加速机器学习的能力。
柔性电子：可以实现可弯曲、可穿戴、可植入的智能设备。
相变存储器目前还面临一些挑战，如成本高、容量小、温度敏感等