手撕模电第四章频率响应

频率响应概述

晶体管的高频等效模型

混合$\pi$模型及主要参数

首先给出一个经初步简化的混合$\pi$模型，如下图所示
注意，我们引入了跨导$g_m$,用于描述此时$U_{b^{\prime }e}$对$I_c$的控制关系
$$I_c=g_m{U}_{b^{\prime }e}$$
其中$$C_{\mu }\approx C_{ob}（C_{ob}可查）$$
接下来，将两回路之间的$C_{\mu }$进行等效,等效电路图如下
引入一个参数$K$,$K$是电路的电压放大倍数
$$K=\frac{U_{ce}}{U_{b^{\prime }e}}=\frac{U_{ce}}{\frac{I_c}{g_m}}=-g_m(R_c//R_L)$$
$$C_{\mu }^{\prime }=(1-K)C_{\mu }=(1+|K|)C_{\mu }$$
接下来

1. 由于$C_{\mu }^{\prime \prime }$对应容抗$\frac{1}{wC}$远大于$R_L$，因此在并联时可以忽略其存在
2. 再将$C_{\mu }^{\prime }$和$C_{\pi }$合并

得到最终的模型，如下图所示
由电容并联原理可得
$$C_{\pi }^{\prime }=C_{\pi }+C_{\mu }^{\prime }=C_{\pi }+(1+|K|)C_{\mu }$$
我们须知的频率响应参数有：$C_{\mu },C_{\pi },K,g_m$
其中$C_{\pi }$可通过共射截至频率求得，在下一节点中会涉及
所以接下来介绍$g_m$的求法
$$r_{b^{\prime }e}=\frac{U_T}{I_{BQ}}⟹U_T=I_{BQ}{r}_{b^{\prime }e}\approx U_{b^{\prime }e}$$
$$I_c=g_m{U}_{b^{\prime }e}=\beta I_b⟹g_m=\frac{\beta I_b}{U_{b^{\prime }e}}$$
于是有$$g_m=\frac{\beta I_b}{U_T}=\frac{\beta I_{EQ}}{(1+\beta )U_T}$$
由于$\beta \gg 1$,因此$g_m\approx \frac{I_{EQ}}{U_T}$,这是易求的数据

电流放大倍数$\beta$的频率响应

1. 共射截至频率$f_{\beta }$
   $$f_{\beta }=\frac{1}{2\pi r_{b^{\prime }e}{C}_{\pi }^{\prime }}(此时C_{\pi }^{\prime }=C_{\pi }+C_{\mu })$$
2. 共基截至频率$f_{\alpha }$
   $$f_{\alpha }=(1+{\beta }_0)f_{\beta }$$
   从此处可看出$f_{\alpha }\gg f_{\beta }$,即共基电路的截止频率远高于共射电路，所以共基电路常作为宽频带放大电路

单管放大电路的频率响应（基于共射电路）

下面给出单管共射放大电路的电路图

此图不正确，应改为适应频率从零到无穷大的电路

单管共射电路的频率响应分析

中频分析

中频时，由于$\frac{1}{w{C}_{\pi }^{\prime }}$远大于$r_{b^{\prime }e}$，并联时可视为开路；由于$\frac{1}{wC}$远小于$R_L$,串联时可视为短路

低频分析

低频时，$C_{\pi }^{\prime }$仍视为开路；但此时容抗$\frac{1}{wC}$较大，串联时不可忽略

高频分析

高频时，$C$视为短路；但此时容抗$\frac{1}{w{C}_{\pi }^{\prime }}$较小，并联时不可忽略

波特图

单管频率响应的改善和增益带宽比

多级放大电路的频率响应

截止频率的估算

频率响应与阶跃响应

（模板）三级目录

写在末尾

模拟电子技术基础是初步涉及专业知识的课程，本人接触已有近两个月，总的来说是比较基础的，书本知识啃一啃，例题搞清楚，最后最好有一个总结，列出一个outlook，只要框架清楚了后面的学习也就不会太难。
还有朋友告诉我：列方程的时候看不懂。我的建议是首先审查自己的电路知识，其次看看是不是前面什么结论方程没有代入。
还有什么想说的，本人将在下一次更新时写在我的Blog里

朋友！再会