多思计组原理虚拟实验室 实验三 存储器实验

电路图链接

链接：https://pan.baidu.com/s/1D3Vx_rMmmESP5rIswSl2Ag?pwd=2333
提取码：2333

以下是较为清晰的电路图的连接图。

然后直接说重点，存入和读取的步骤。
以下的设置为1即为将按钮拨为朝上，打开什么按钮就是置为零。
首先是设置电路的初始状态，MR置为一，CE置为一，SW-BUS置为一。
一、存入（以存入11H为例）
1.调节SW7~SW0为存入的地址00000001，LDAR和WE都置为一，打开SW-BUS，点击P2，（观察中间一排灯泡仅最后一个亮即操作无误）
2.关闭SW-BUS，调节SW7~SW0为存入的数据00010001，打开SW-BUS，然后打开CE，点击P1，（观察上面一排灯泡为00010001，1为亮0为暗，即操作无误），关闭CE，关闭SW-BUS。
3.重复上述过程直至全部存入。
全部存入后的存储器内部的数据图像如下图。

（补充）报告中的思考部分
思考与分析

1. 静态半导体存储器与动态半导体存储器的主要区别是什么？
   静态RAM（SRAM）速度非常快，只要电源存在内容就不会自动消失。集成度相对较低，功耗也较大。一般高速缓冲存储器用它组成。
   动态RAM（DRAM）的内容在10-3或10-6秒之后自动消失，因此必须周期性的在内容消失之前进行刷新。由于它的基本存储电路由一个晶体管及一个电容组成，因此它的集成度高，成本较低，另外耗电也少，但它需要一个额外的刷新电路。DRAM运行速度较慢，SRAM比DRAM要快2~5倍，一般，PC机的标准存储器都采用DRAM组成。
2. 由两片 6116（ 2K×8） 怎样扩展成（ 2K×16） 或（ 4K×8） 的存储器？ 怎样连线？
   两片进行位（竖着排两个）拓展扩展成2K×16，将两片存储器的地址、片选CS、读写控制端R/W相应并联，数据端分别引出。两位进行字扩展（横着排两个）扩展成4K×8，数据线与两片的数据端相连，地址总线的低位地址与两片的11位地址端相连，而高位地址经过译码器和片选端相连。

二、读取
接着上文说到的最后存入完成，此时SW-BUS处于关闭状态，依旧以读取11H为例
1.调整SW7~SW0为00000001，然后打开SW-BUS，然后点击P2，然后打开CE和WE，（观察上面一排灯泡为00010001，1为亮0为暗，即操作无误），关闭CE，关闭SW-BUS。
2.重复上述过程，直至完成所有数据的读取。

三、如何导入我的电路图

点击打开，在路径中找到我的文件如图

点击打开

四、如何查看存储器数据以及更改线条颜色

第一个存储器芯片设置为查看存储器，点击后在箭头所指处打开自己的存储器即可。

工具里的第二项更改线条颜色，点击后选择自己想要的颜色然后点击Enter即可。