神经网络之lstm

1. LSTM简介

1.1 定义与起源

长短期记忆网络（Long Short-Term Memory, LSTM）是一种特殊类型的循环神经网络（RNN），由 Hochreiter 和 Schmidhuber 于 1997 年提出。LSTM 旨在解决传统 RNN 在处理长序列数据时遇到的梯度消失或梯度爆炸问题。

LSTM 网络的核心是三个门的机制：遗忘门（forget gate）、输入门（input gate）、输出门（output gate）。这些门通过自适应的方式控制信息的流动，从而实现对长期依赖信息的捕捉。

1.2 与传统RNN的比较

与标准 RNN 相比，LSTM 引入了更为复杂的结构来维护和更新内部状态，即细胞状态（cell state）。标准 RNN 的更新公式为：
$h_t=\tanh (W_{hh}{h}_{t-1}+W_{xh}{x}_t+b_h)$
其中，$ h_t$ 是当前时间步的隐藏状态，$x_t$ 是输入，$W$ 和 $b$ 分别是权重和偏置。

LSTM 则通过以下公式更新其细胞状态 $C_t$ 和隐藏状态 $h_t$：
$f_t=\sigma (W_{hf}{x}_t+W_{hf}{h}_{t-1}+b_f)$
$i_t=\sigma (W_{hi}{x}_t+W_{hi}{h}_{t-1}+b_i)$
${\tilde{C}}_t=\tanh (W_{hc}{x}_t+W_{hc}{h}_{t-1}+b_c)$
$C_t=f_t\ast C_{t-1}+i_t\ast {\tilde{C}}_t$
$h_t=\tanh (C_t)$
$o_t=\sigma (W_{ho}{x}_t+W_{ho}{h}_{t-1}+b_o)$
$h_t=o_t\ast \tanh (C_t)$
其中，$f_t$、$i_t$ 、$o_t$ 分别是遗忘门、输入门和输出门的激活值，${\tilde{C}}_t$ 是候选记忆细胞，$\sigma$ 是 sigmoid 激活函数，* 表示逐元素乘法。

LSTM 的这种设计显著提高了网络在处理长序列数据时的性能，使其成为许多序列建模任务的首选模型。

2. LSTM的结构与工作原理

2.1 记忆单元（Memory Cell）

记忆单元是LSTM网络的核心，负责在整个序列处理过程中保持和更新长期依赖信息。记忆单元的结构相对简单，主要由一个或多个神经元组成，其状态通过时间步传递，仅通过线性方式更新。

2.2 遗忘门（Forget Gate）

遗忘门的目的是决定在每个时间步中，哪些信息应该从记忆单元中被遗忘或保留。它通过以下公式进行计算：
$f_t=\sigma (W_f\cdot [h_{t-1},x_t]+b_f)$
其中，$\sigma$ 是逻辑激活函数，$W_f$ 和 $b_f$ 分别是遗忘门的权重矩阵和偏置项，$[h_{t-1},x_t]$ 是前一时间步的隐藏状态和当前时间步的输入。

2.3 输入门（Input Gate）

输入门由两部分组成：一个sigmoid层决定哪些值将要更新，一个tanh层创建一个新的候选值向量，该向量将被加入到状态中。输入门的公式如下：
$i_t$