基于verilog驱动M25P16(FALSH)--------- (二)

• M25P16原理

M25P16是一款带有先进写保护机制和高速SPI总线访问的串行Flash存储器。M25P16特点如下：

1. 存储结构：16M Bit(2M Byte)的存储空间，一共32个扇区（sector），每个扇区256页，每页256字节。
2. SPI总线兼容的串行接口。
3. 可以单扇区擦除，也可以整块擦除。
4. 可以同时编程1~256字节，页编程速率高达256Byte/1.4ms，即写入一页数据需要1.4ms。
5. 数据保存至少20年。
6. 支持SPI工作模式0和3。

1、M25P16引脚图

2、信号名称

C： 时钟信号，相当于SPI总线的SCLK。

D：数据输入，相当于SPI总线的主机输出、从机输入MOSI。

Q：数据输出，相当于SPI总线的主机输入、从机输出MISO。

S#：片选信号，相当于SPI总线的片选信号CS_N。

HOLD：在选中期间期间输出高阻态，实际上比较像SDRAM的“掩码”。

W#：写保护，低电平有效，在写保护有效时无法写入数据。

VCC：电源。

VSS：电源地。

3、SPI Modes

4、指令

常用的指令：

WREN：写使能指令，在进行PP、SE、BE、RDSR指令前，都需要发 送一次写使能指令。

READ：读使能指令，发送读使能指令后需要发送3字节的地址数据， 分别为扇区地址、页地址和字节地址，可以一直读，直到将 片选拉低才停止读取数据，

PP：页编程指令，发送页编程指令后，需要再发送3字节的地址数据， 然后再发送需要写的数据，最多一次可以写256个数据(1页)。 如果页编程的字节地址不是全零的话，就会在本页内循环写入数 据（到了本页最后一字节，下一字节会回到本页起始地址编程，

即字节地址全零的地方开始）。如果写入数据超过256字节，那么前面的数据会被覆盖，只有最后的256字节数据会被保留。如果少于256字节，则正常写入，且不会对本页其他字节数据造成影响。

SE：扇区擦除指令，发送扇区擦除指令后，需要发送3字节的地址。 然后等待1~5ms，扇区擦除时间。

BE：批量删除指令，发送该指令后等待17~40ms，全部擦除时间。

RDSR：读状态寄存器指令，读取状态寄存器（RDSR）指令允许读取状态寄存器。状态寄存器可以在任何时候被读取，即使在一个程序、擦除或写状态寄存器周期正在进行中。当其中一个循环正在进行时，建议在向设备发送新指令之前检查“正在写入”（WIP）位。

WIP BIT：“正在写入”（WIP）位指示内存是忙于写入状态寄存器、程序还是擦除周期。当设置为1时，这样的循环正在进行，当重置为0时，没有这样的循环正在进行。

WEL BIT：写入启用锁存器（WEL）位表示内部写入启用锁存器的状态。当设置为1时，内部写启用锁存器被设置为1，当设置为0时，内部写启用锁存器被重置，并且不接受写状态寄存器、程序或擦除指令。

在进行擦除指令时，可以通过读取状态寄存器的WIP BIT来判断擦除周期是否完成，这样就可以不用进行擦除等待。

注意：PP指令只能将FLASH中存储单元中的‘1’写为‘0’，而不能将‘0’写成‘1’。所以对同一地址进行重复写数据要进行擦除操作，否则写入的数据会产生干扰。

SE、BE擦除指令操作，就是将FLASH中的存储单元中的‘0’擦除为‘1’。所以进行完擦除指令后，存储单元中的数据全为‘1’，16进制下即为‘F’。