电力电子技术速通复习

电力电子器件

PN结复习

1.本征半导体：一种完全纯净，结构完整的半导体晶体，其含有两种载流子而且，自由电子的浓度和空穴的浓度总是相等，一般情况下，本征半导体的导电性能很差。

2.N型半导体：在硅晶体中掺入P（磷）五价元素，多子为自由电子，少子为空穴；

3.P型半导体： 在硅晶体中掺入B（磷）三价元素，多子为空穴，少子为自由电子；

注意：多子浓度与掺杂原子浓度有关，少子是本征激发出来的，温度对少子的影响更大 

4.PN结 ：P型半导体中自由电子和N型半导体的空穴在交互界面形成的一个空间电荷区，称为PN结。（耗尽层与势垒层）

5.PN结呈现电中性的原因：多子的扩散和少子的漂移运动达到一个动态平衡

6.PN结具有单相导电性，PN结具有雪崩击穿（T越高，击穿电压越大）和齐纳击穿（T越高，击穿电压越小），均可逆，热击穿不可逆；PN结具有电容效应，势垒电容（耗尽层变化等效的电容）

扩散电容（非平衡少子引起的电荷量的变化等效出来的电容效应）

电力二极管

（一）电力二极管为何可以承受比信息电子中二极管更大的电流和反向电压？

（1）垂直导电结构、

（2）有低浓度掺杂N区（采用P-i-N结构）、

（3）电导调制效应：当PN结上流过正向大电流时，注入并积累在低掺杂N区的少子空穴浓度将很大，为了维持半导体电中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，电阻率明显下降，也就是电导率大大增加，这就是电导调制效应。电导调制效应使得PN结在正向电流较大时管压降仍然很低，维持在1V左右（硅二极管约为0.7V）。