DS18B20 数字温度传感器实验

最新推荐文章于 2024-05-13 07:04:15 发布

江波ZK

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分类专栏： stm32 文章标签：物联网

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DS18B20 是由 DALLAS 半导体公司推出的一种的“一线总线”接口的温度传感器。与传统的热敏电阻等测温元件相比，它是一种新型的体积小、适用电压宽、与微处理器接口简单的数字化温度传感器。一线总线结构具有简洁且经济的特点，可使用户轻松地组建传感器网络，从而为测量系统的构建引入全新概念，测量温度范围为-55~+125℃ ，精度为±0.5℃。现场温度直接以“一线总线”的数字方式传输，大大提高了系统的抗干扰性。它能直接读出被测温度，并且可根据实际要求通过简单的编程实现 9~l2 位的数字值读数方式。它工作在 3~5.5V 的电压范围，采用多种封装形式，从而使系统设计灵活、方便，设定分辨率及用户设定的报警温度存储在 EEPROM 中，掉电后依然保存。

ROM 中的 64 位序列号是出厂前被光记好的，它可以看作是该 DS18B20 的地址序列码，每 DS18B20 的 64 位序列号均不相同。64 位 ROM 的排列是：前 8 位是产品家族码，接着 48 位是 DS18B20 的序列号，最后 8 位是前面 56 位的循环冗余校验码(CRC=X8+X5+X4+1)。ROM 作用是使每一个 DS18B20 都各不相同，这样就可实现一根总线上挂接多个 DS18B20。

DS18B20 共有 6 种信号类型：复位脉冲、应答脉冲、写 0、写 1、读 0 和读 1。所有这些信号，除了应答脉冲以外，都由主机发出同步信号。并且发送所有的命令和数据都是字节的低位在前。

信号线：PG9

//IO方向设置

#define DS18B20_IO_IN() {GPIOG->MODER&=~(3<<(9*2));GPIOG->MODER|=0<<9*2;}   //PG9输入模

#define DS18B20_IO_OUT() {GPIOG->MODER&=~(3<<(9*2));GPIOG->MODER|=1<<9*2;} //PG9输出模

//IO操作

#define   DS18B20_DQ_OUT PGout(9) //数据端口PG9

#define   DS18B20_DQ_IN PGin(9) //数据端口   PG9

1）复位脉冲和应答脉冲

单总线上的所有通信都是以初始化序列开始。主机输出低电平，保持低电平时间至少 480 us，，以产生复位脉冲。接着主机释放总线，4.7K 的上拉电阻将单总线拉高，延时 15～60 us，并进入接收模式(Rx)。接着 DS18B20 拉低总线 60~240 us，以产生低电平应答脉冲，若为低电平，再延时 480 us。

//复位DS18B20

void DS18B20_Rst(void)

{

DS18B20_IO_OUT(); //设置为输出模式

DS18B20_DQ_OUT=0; //拉低DQ

delay_us(750); //拉低750us（至少480us)

DS18B20_DQ_OUT=1; //DQ=1拉高释放总线

delay_us(15); //15US

//进入接受模式，等待应答信号。

}

//等待DS18B20的回应

//返回1:未检测到DS18B20的存在返回0:存在

u8 DS18B20_Check(void)

{

u8 retry=0;

DS18B20_IO_IN();//SET PA0 INPUT

while (DS18B20_DQ_IN&&retry<200)

{

retry++;

delay_us(1);

}

if(retry>=200)

return 1;

else retry=0;

while (!DS18B20_DQ_IN&&retry<240)

{

retry++;

delay_us(1);

};

if(retry>=240)return 1;

return 0;

}

2）写时序

写时序包括写 0 时序和写 1 时序。所有写时序至少需要 60us，且在 2 次独立的写时序之间至少需要 1us 的恢复时间，两种写时序均起始于主机拉低总线。写 1 时序：主机输出低电平，延时 2us，然后释放总线，延时 60us。写 0 时序：主机输出低电平，延时 60us，然后释放总线，延时 2us。

3）读时序

单总线器件仅在主机发出读时序时，才向主机传输数据，所以，在主机发出读数据命令后，必须马上产生读时序，以便从机能够传输数据。所有读时序至少需要 60us，且在 2 次独立的读时序之间至少需要 1us 的恢复时间。每个读时序都由主机发起，至少拉低总线 1us。主机在读时序期间必须释放总线，并且在时序起始后的 15us 之内采样总线状态。典型的读时序过程为：主机输出低电平延时 2us，然后主机转入输入模式延时 12us，然后读取单总线当前的电平，然后延时 50us。

DS18B20 的温度读取过程为：复位→发 SKIP ROM 命令（0XCC）→发开始转换命令（0X44）→延时→复位→发送 SKIP ROM 命令（0XCC）→发读存储器命令（0XBE）→连续读出两个字节数据(即温度)→结束。

硬件连接

软件设计

打开 ds18b20.c：

该部分代码就是单总线操作时序来读取 DS18B20 的温度值的，DS18B20 的温度通过 DS18B20_Get_Temp 函数读取，该函数的返回值为带符号的短整型数据，返回值的范围为-550~1250，其实就是温度值扩大了 10 倍。

main函数

int main(void)
{ 
	u8 t=0;			    
	short temperature;  
	NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);//设置系统中断优先级分组2
	delay_init(168);  //初始化延时函数
	uart_init(115200);		//初始化串口波特率为115200
	
	LED_Init();					//初始化LED
 	LCD_Init();
  POINT_COLOR=RED;//设置字体为红色 
	LCD_ShowString(30,50,200,16,16,"Explorer STM32F4");	
	LCD_ShowString(30,70,200,16,16,"DS18B20 TEST");	
	LCD_ShowString(30,90,200,16,16,"ATOM@ALIENTEK");
	LCD_ShowString(30,110,200,16,16,"2014/5/7");
 	while(DS18B20_Init())	//DS18B20初始化	
	{
		LCD_ShowString(30,130,200,16,16,"DS18B20 Error");
		delay_ms(200);
		LCD_Fill(30,130,239,130+16,WHITE);
 		delay_ms(200);
	}   
	LCD_ShowString(30,130,200,16,16,"DS18B20 OK");
	POINT_COLOR=BLUE;//设置字体为蓝色 
 	LCD_ShowString(30,150,200,16,16,"Temp:   . C");	 
	while(1)
	{	    	    
 		if(t%10==0)//每100ms读取一次
		{									  
			temperature=DS18B20_Get_Temp();	
			if(temperature<0)
			{
				LCD_ShowChar(30+40,150,'-',16,0);			//显示负号
				temperature=-temperature;					//转为正数
			}else LCD_ShowChar(30+40,150,' ',16,0);			//去掉负号
			LCD_ShowNum(30+40+8,150,temperature/10,2,16);	//显示正数部分	    
   			LCD_ShowNum(30+40+32,150,temperature%10,1,16);	//显示小数部分 		   
		}				   
	 	delay_ms(10);
		t++;
		if(t==20)
		{
			t=0;
			LED0=!LED0;
		}
	}
}