理解运放中的压摆率

        本文仅记录学习,内容来自拉扎维《模拟CMOS集成电路设计》与另一篇文章,点此前往原文


什么是压摆率

        压摆率定义为一个运放输出电压变化的最快速率,它用来表示一个运放的输出能响应多快的输入变化,通常单位为V/us。

        首先,我们考虑一个线性系统,如一个简单的RC网络:

        输入一个高度为V_{0}的理想的电压阶跃信号,对RC电路的微分方程求解可得:

V_{out}=V_{0}[1-exp(-\frac{t}{RC}))]

        对此方程求导可得:

\frac{\mathrm{dV_{out}} }{\mathrm{d} t}=\frac{V_{0}}{\tau }exp(\frac{-\tau}{t})

        可以看出,输出信号的斜率与输入信号的大小有关,初始的充放电电流与V_{in}有关,如果有一个大的信号阶跃,则输出上升就会更加陡峭,但是RC系统输出信号接近终止的时间总是相同,与输入信号的大小无关。

        对于一个理想的线性反馈系统,我们也可以得到上述关系,但是实际运放中,我们发现当输入信号的幅值增加的时候,实际运放电路的阶跃响应会逐渐偏离。

        对于大的输入信号,输出的斜率不再增加,而是表现出一个具有不变斜率的线性斜坡。这种情况下,我们称运放经历了转换,并称此斜坡的斜率称为”转换速率“

        为了更好地理解这一过程,我们观察上图。将运放连接成一个跟随器,输入信号为一个方波信号,理想的运放输出也是一个标准的方波信号,但是由于实际运放的输出信号上升速率有限,即压摆率和各种其他因素影响,实际输出的波形会类似梯形。

        下面这张图给出了一个理想运放对一个阶跃信号的响应。

        我们可以看出,实际运放的输出没有直接跟随输入信号变化,而是随着时间线性变化。而输出信号随时间变化的斜率就是压摆率。


为什么存在压摆率的限制

内部的补偿电容

        我们知道,一个普通的二级运放在第二级需要做补偿来保证运放的稳定性,如下图所示。

        图中Cc电容即为补偿电容,而这个电容(与内部的其他寄生电容一起)与内部的电阻相连接,形成一个RC时间常数限制输出电压的变化速率。

电流限制

        一个运放的内部电流源或电流沉提供的电流是有限的,而有限的电流意味着内部补偿电容的充放电电流的大小有限,充放电的速度有限,这也会限制一个运放的压摆率。

         具体的分析需要考虑充放电电流的路径,例如在上图,充放电电流的大小就被尾电流源所限制,充电电流最大为I_{ss},放电电流同理,导致出现电流不变而电压线性变化。

其他因素

        其他因素如供电电压,负载电容,温度和工艺以及设计的trade-off都会对运放的压摆率造成影响,这里不一一列举。


输入信号特性对压摆率表现的影响

        虽然压摆率是放大器的固有属性,是由他的内部构造所决定,但是输入信号的特性也会影响压摆率对电路性能的影响。在此,我们讨论一下各种输入信号参数是如何影响电路中的有效压摆率。

输入信号幅度

        大的输入信号摆幅需要输出变化的更快,这就意味着运放必须要有充足的压摆率来适应这个变化的速率而不让信号失真。如果输出信号需要变化的速率大于运放能够变化的最大速率,即压摆率,输出的变化就会落后于输入,从而导致波形的失真,尤其是在高频以及大信号的应用场合。

输入信号频率

        输入信号的频率直接关联到输出信号需要响应的快慢。输入信号的频率越高就会需要更高的压摆率。对于正弦波,压摆率的需求为:

SR=2\pi fV^{_{peak}}

        如果实际的运放压摆率小于输入信号的频率和幅度的要求,就会导致输出信号的失真。

输入信号的上升时间与下降时间

        输入信号的上升与下降时间,尤其是数字信号中的方波信号,决定了信号从一个电平到另一个电平直接变化的快慢。压摆率不足的运放在方波的边角处将会变得圆滑,如下图所示:

常见运放中压摆率的计算

        对于上图所示的一级OTA,我们可以发现对于电容的充放电电流最大都为I_{ss}(考虑R1、R2为大电阻,分得电流较少),则充放电的斜率(压摆率)为:

SR=\frac{I_{ss}}{C_{L}}

        如果一个电流要放大一个正弦信号V_{0}\sin w_{0}t, 则它的转换速率(压摆率)必须超过V_{0}w_{0}

        而在一个具有频率补偿的二级运放中,如下图所示:

        对输出节点的充放电主要通过C_c来实现,所以压摆率为:

SR=\frac{I_{ss}}{C_c}

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