看了很多文章,发现都是gm-vgs的相关仿真方法,这里给出gm-id的仿真方法
一、搭建原理图(采用tsmc65n的工艺)
如下所示:
分别仿真nmos和pmos管的gm-id的关系
二、在ADE模式下进行dc仿真
点击launch-ADE L
在弹出的界面中点击Design Variables,在弹出的选项中选择Copy From Cellview
结果如下
给一个设定值,可随意给
点击edit
选择dc仿真,并进行相应如下的设置
点击outputs-setup
在弹出的界面中按下述进行操作
在弹出的calculator中点击OS
会跳到原理图界面,选择M0,MOS管
点击之后在下拉中选择gm
回到原界面,点击get expression
pmos的gm按相同方法进行操作,最终结果如下:
点击仿真得到下面所示仿真曲线:
将纵坐标改成对数坐标显示:
其最终结果如下所示: