Cadence virtuoso 仿真MOS C-V曲线

已于 2023-03-19 22:33:49 修改
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于 2023-03-19 22:31:51 首次发布
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MOS电容：cgg=cgb+cgd+cgs

dc仿真结束后，在Tools-Result browses找到cgg右击放进计算器里面，再放在输出框

对栅极电压进行参数扫描

得到MOS电容随栅极电压的变化曲线

【virtuoso】单管放大器计算&仿真
m0_62489442的博客
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电压增益、增益带宽积，手算于仿真对比
virtuoso IC5141 实验一 MOS管I-V特性仿真验证
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用dc方法对Varactor(变容管)C-V曲线仿真
Clara_D的博客
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testbench schematic如下： 通过ADE设置dc，扫描参数a的范围、步进。 通过点击Tools>Calculator>选择op后会自动跳回到schematic页面，这时需要点击变容管，如果你仿真的是MOS管作变容管则需要点击MOS管。 并且出现如下的小窗口，下拉list选择cap即可。（注意如果没有点击变容管list下面就没有cap选项。） 然后回到calculator界面，将得到的表达式发送到ADE的输出中。 运用扫参工具对电压变量a进行扫描，再plot结果就可以得到C-
MOS电容C-V曲线绘制方法
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方法一： dc扫描 AVDD 从-3扫到3V tools-result Brower-dcOpinfo-选定M0的Cgg 得到图线： 方法二：
【Cadence】virtuoso软件介绍与操作入门
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02-27 4623
Cadence公司的Virtuoso软件主要用于芯片版图设计，本文介绍了其软件使用技巧，包括快捷键、工程创建步骤（含文件配置、仿真设置等）、库管理及工程移植等内容，还补充了一些操作中的细节解释 。
cadence virtuoso MOS管IV特性仿真
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仿真工具：Cadence virtuoso 6.17 工艺库：中芯国际simc_18mmrf 仿真案例：MOS管IV特性仿真一、建立设计库和Cell
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使用PSpice工具，对MOS管CV曲线进行仿真
1、基于Cadence617，仿真mos管的V-I特性曲线
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使用到的软件，cadence 617，工艺是tsmc18rf。
微电子新手入门之Cadence常用仿真——NMOS管的C-V曲线
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C -V 特性曲线即是测量栅端输入电容跟栅电压的关系。考虑电容特性：AC下Iac/Vac=2πfC ，如果令交流电压Vac =1V，选择频率 f （0.16 Hz）使得 2πf=1rad/s ，这时候得到的交流电流就是电容值。 进行AC设置，设置好工作频率，对栅极偏压vg进行扫描，从-1V~1V之间。 ac仿真结束后，将探针0电流取值到计算器当中：        同样的，将探针1...
Cadence仿真MOS晶体管电容及其它参数
李敏儿oc的博客
05-29 8899
本文介绍了如何用Cadence仿真MOS晶体管的电容，并仿真了电容随栅压变化的曲线。
Cadence Virtuoso IC618 AC仿真测量电容
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04-28 1万+
Cadence Virtuoso IC618 AC仿真测量电容的基本原理是利用电容的阻抗计算公式，仿真并测量流过电容的电流值，通过设置合适的频率以及交流电压值，使得电流值和被测电容在数值上相等。
cadence virtuoso使用
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总之，Cadence Virtuoso的使用涵盖了从建立工程、器件选择与放置、电路原理图设计、符号生成，到最后的电路仿真和结果验证等多个环节。对于初学者来说，这是一个很好的起点，通过逐步学习和实践，可以掌握复杂电路...
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12-30
### Cadence的使用与基本仿真教程 #### 一、启动Cadence 启动Cadence软件是进行电路设计的第一步。在桌面上找到相应的图标或者通过命令行来启动软件。具体步骤如下： 1. 在桌面右键点击，选择“Open Terminal”...
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从0开始，模拟集成电路设计Cadence Virtuoso学习笔记（一）
weixin_43957294的博客
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近些年模拟集成电路行业待遇逐年提高，很多人希望转行从事模拟集成电路设计，但是相较于软件计算机行业，集成IC设计难度大，资料少，远没有转行软件计算机容易，最好本科专业有一定相关性，学习过数模电和信号与系统这几门课程，后续还有拉扎维的《模拟集成cmos集成电路设计》可以参考西安交大张鸿老师的网课视频，桑森的《模拟集成电路设计精粹》、格雷的《模拟集成电路的分析与设计》.还要学习器件相关的半导体物理、半导体器件和陈星弼院士写的《微电子器件》或者施敏院士的《半导体器件物理》。除此之外还要学习matlab等软件。
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### MOS电容在Cadence中的高频和低频特性仿真 #### 1. MOS电容的频率依赖性 MOS电容器的电容-电压(C-V)特性表现出显著的频率依赖性。当施加不同频率的小信号激励时，C-V曲线会发生变化。对于低频情况，空间电荷区宽度主要由直流偏置决定，在此条件下，电容表现为接近理想的平板电容行为[^1]。 ```matlab % MATLAB代码用于绘制理想情况下MOS电容随频率变化的关系图 frequencies = logspace(0, 8, 50); % 频率范围从1 Hz到100 MHz capacitance_low_freq = ones(size(frequencies)); % 假设低频下的恒定电容量 figure; loglog(frequencies, capacitance_low_freq); xlabel('Frequency (Hz)'); ylabel('Capacitance (F)'); title('Low Frequency C-V Characteristics'); grid on; ``` 然而，在高频下，由于存在寄生效应和其他非理想因素，实际测得的电容值可能会偏离理论预期。特别是，随着频率增加，表面态陷阱电荷的影响变得更加明显，这可能导致有效氧化层厚度看似增大，从而降低观测到的电容值[^3]。 #### 2. Cadence中设置仿真的具体步骤 为了研究这些现象，在Cadence Virtuoso平台内可以按照如下方式配置AC分析： - 打开项目并加载目标器件模型； - 创建一个新的原理图文件并将所需元件放置其中（例如nmos或pmos晶体管）； - 添加必要的电源节点、接地连接及其他辅助组件； - 设置输入端口以接收正弦波形作为测试信号源； - 转至`Analysis->Choose Analysis Type...`,选择`AC Sweep/Noise`; - 定义起始与终止频率区间，通常覆盖感兴趣的操作带宽； - 对于更精确的结果，考虑细化扫频步长参数； - 启动仿真过程并通过图表查看输出数据。 ```tcl # TCL脚本片段展示如何启动一次完整的AC sweep操作 set analysis_type "ac" create_analysis $analysis_type \ -start_frequency {1kHz} \ -stop_frequency {1GHz} \ -number_of_points_per_decade 100 \ -output_file_name "cv_characteristics.txt" run_simulation plot_results cv_characteristics.txt ```
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