拉扎维《模拟CMOS集成电路设计》总览

前面两章的核心概念

Vgs对Ids的控制

在MOS管中，栅极-源极电压（Vgs）对源极-漏极电流（Ids）的控制是最基本的工作原理。Vgs决定了沟道的形成与否以及沟道的导电能力，从而直接影响到Ids的大小。

沟道长度调制效应（Channel Length Modulation，CLM）

随着漏极-源极电压（Vds）的增加，沟道长度会发生变化，导致Ids增加，这表明Vds也能对Ids产生控制作用。这个效应说明，在高Vds下，MOS管的Ids不再是恒定的，而是随Vds的增加而增加。

衬底偏置效应（Body Effect）

衬底偏置效应描述了衬底电位（体电位）对MOS管阈值电压（Vth）的影响。衬底电位的增加会导致Vth增加，这影响了Vgs对Ids的控制，因为达到导电所需的Vgs会增加。

第三章：单级运放的核心类型

共源放大器

共源放大器是最常见的MOS放大器类型，其特点是输入信号加在栅极上，输出从漏极取出，源极接地。其主要特征是增益为负值（-gm*ro），说明输出信号与输入信号相位相反。

共栅放大器

共栅放大器的输入信号加在源极上，输出从漏极取出，栅极接地。它的增益为正（gm*ro），但一般比共源放大器低。共栅放大器主要用于输入阻抗要求较高的场合。

源跟随器

源跟随器的输入信号加在栅极上，输出从源极取出。它基本上是一个缓冲器，增益接近1（实际为1-1/gmro，但在高gm下接近1），主要特点是输出阻抗低，能够提供较大的电流驱动能力，适合做电压跟随器或缓冲器的角色。

每种运放类型的选择，都依赖于特定应用中对增益、输入/输出阻抗、相位等要求的不同。理解这些基本的工作原理和特性，对于设计和分析模拟电路至关重要

第四章：电流镜

电流镜主要用于电流的复制或放大。在MOSFET的情况下，电流镜利用了MOSFET在饱和区的特性，即当MOSFET工作在饱和区时，漏源电流（Ids）主要受栅源电压（Vgs）的控制，而与漏源电压（Vds）关系不大，只要Vds足够使MOSFET保持在饱和状态。这一特性使得电流镜可以通过一个参考电流来设置一个或多个MOSFET的漏源电流，实现电流的稳定复制。

第五章：差分运放

差分放大器是模拟电路设计中的一个基础构件，它可以放大两个输入信号之间的差异，同时抑制两个输入信号共有的部分（共模信号）。这个特性使得差分放大器非常适用于提取两个信号之间的微小差异，同时忽略掉信号路径中可能的干扰。

• 差模信号是指两个输入之间的差异部分。
• 共模信号是指两个输入共有的信号部分。

引入共模和差模概念有助于设计具有高共模抑制比（CMRR）的放大器，这对于提高电路的信噪比和准确度非常