计算机组成原理——第三章存储器（主存储器RAM、ROM）

随机存储器RAM
随机存储器按其存储信息的原理不同，可分为静态RAM和动态RAM两大类
静态RAM
由于静态RAM是用触发器工作原理存储信息，因此即使信息读出后，他仍保持其原状态，不需要
再生，但电源漏电时，原存信息丢失，它属易失性半导体存储器

静态RAM芯片举例
A9-A0为地址输入端     I/O1~I/O4为数据输入/输出端  CS为片选信号（低电平有效）
WE为写允许信号（低电平为写，高电平为读） Vcc为电源端 GND为接地端

静态RAM读/写时序

读周期时序
在整个读周期WE始终为高电平
读周期Trc：指对芯片进行两次连续读操作的最小间隔时间
读时间Ta：表示从地址有效到数据稳定所需的时间，显然读时间小于读周期
Tco：从片选有效到输出稳定的时间
只有当地址有效经Ta后，且当片选有效经Tco后，数据才能稳定输出，两者必须同时具备
必须给出片选有效信号，否则信号不能出现在数据线上
Totd：片选失效到输出高阻需要的时间
Toha：地址失效后，数据线上的有效数据维持时间

写周期时序
写周期Twc：对芯片进行连续两次写操作的最小间隔时间
写周期包括：滞后时间Taw、写入时间Tw和写恢复时间Twr
RAM的数据线上存在着前一刻的数据Dout，所以地址线发生变化后，CS、WE需要滞后Taw再有效
写恢复时间Twr：写允许WE失效后，地址必须保持一段时间
RAM数据线上的有效数据（Din）必须在CS、WE失效前的Tdw时刻出现，并延续一段时间Tdh（Twr>Tdh），以保证数据可靠写入

动态RAM
动态RAM基本单元电路有三管式和单管式两种
动态RAM靠电容存储电荷的原理来寄存信息，电容足够多表示存1，电容无电荷表示存0
再生或刷新：由于电容的电荷只能维持一段时间，必须对其所有存储单元恢复一次原状态

三管动态RAM
采用重合法选择基本单元电路
读出时，先置以预充电信号，经行译码器给出读选择信号，同时经列译码器给出列选择信号。只有行列信号共同作用下才能将信息经都数据线送到读/写控制电路，并从数据线D输出
写入时，行译码器给出写选择信号，由列译码器的输出控制读/写控制电路，只将数据线D信息送到被选中列的写数据线上，信息被写入到行列共同选中的基本单元电路中

单管动态RAM
行地址选通RAS、列地址选通CAS以及写允许信号WE控制
行线分布在放大器左右两侧。  放大器左右两侧电平相反
读出时，行、列地址受RAS和CAS控制分两次存入行、列地址缓存器。行地址经行译码选中一行，使行上所有MOS管导通，并将电容反映到128个读放大器。列地址经列译码器选中某一列，选择管导通，可将放大器右侧信号经读写线、I/O缓冲器输出至Dout
写入时，行列地址送入行、列地址缓冲器，经译码选择行和列，输入信息Din通过数据输入器，经I/O缓冲器送至读写线上，只有选中的列地址选择管导通，信息送至该列放大器右侧破坏了都放大器的平衡，读放大器信息便可写入选中行中

写入读放大器左侧行的信息与输入信息都是反相的，对读放大器左侧行进行读操作时，读出信息也是反相的，故最终结果正确

动态RAM时序
RAS、CAS和地址的关系
1.先由RAS将行地址送入行地址缓存器，再由CAS将列地址送入列地址缓存器，因此CAS滞后RAS时间必须要超过其规定值
2.RAS和CAS正负电平宽度大于规定值才保证芯片内部正常工作
3.行地址对RAS下降沿以及列地址对CAS的下降沿应有足够的地址建立时间和地址保持时间

读时序（WE=1）
读工作周期Tcbd：动态RAM完成一次读所需最短时间，也是RAS的一个周期
为了确保数据无误，写允许WE生效前在列地址送入前建立，写允许撤销应在CAS失效后（即CAS上升沿）
读出数据应在RAS有效一段时间Taras且CAS有效一段时间Tacas时出现，而数据有效撤出时间应在CAS失效一段时间Thcas-OUT

写时序（WE=0）
写周期Tcwr：RAS的一个周期即为写工作周期
为了确保写入数据准确，写允许WE应先于CAS，而且数据的有效存在时间应与CAS即WE的有效相对应
写入数据应在CAS有效前一段时间Tsudin-CAS出现，它保持时间应为CAS有效后一段时间Tbdin-CAS
数据写入是由CAS下降沿激发而成的

动态RAM的刷新
刷新过程实质上是将原存信息读出，再由刷新放大器形成原信息并重新写入的再生过程
由于存储单元被访问是随机的，可能某些存储单元长期得不到访问，存储单元内原信息会慢慢消失
刷新是一行行进行的，必须在刷新周期内，由专门的刷新电路来完成对基本单元电路的逐步刷新
通常三种方式刷新：集中刷新、分散刷新和异步刷新

集中刷新：在规定的一个刷新周期内，对群不存储单元集中一段时间逐行刷新，必须停止读写操作
死时间（访存死区）：该时间内不能进行读写操作

分散刷新：对每行存储单元的刷新分散到每个存取周期内完成。
存取周期分为两段：1.前半段用来读写或维持信息 2.后半段用来刷新
但存取周期长了，整个系统速度降低了。

异步刷新：前两种结合，既缩短了死时间由充分利用了最大刷新间隔

动态RAM与静态RAM的比较
1.动态RAM集成度高于静态RAM
2.动态RAM减少了芯片引脚，封装尺寸也减少
3.动态RAM功耗比静态低
4.动态RAM价格比静态价格便宜
动态RAM缺点：
1.由于使用动态原件，他的速度低于静态
2.动态RAM需要再生，故需配置再生电路，也需要消耗一部分功率

只读存储器ROM
对于半导体ROM而言，基本器件为两种：MOS型和TTL型
掩模ROM
1.行列选择线交叉处可有耦合元件MOS管，也可没有
是否有耦合元件MOS管，便可区分原存1还是存0
2.列选择线各控制一个列控制管，32个列控制管输出端共连一个读放大器

PROM（一次性编程只读存储器）
1.基本单元电路由一个双极型电路和熔丝构成
2.基极由行线控制，发射极与列线形成熔丝，集电极接电源Vcc
熔丝断与不断表示所存信息1或0
3.将信息存在耦合元件内，欲存0则置耦合元件一大电流，将熔丝烧断
欲存1，则耦合处不置大电流，熔丝不断
已断的熔丝是无法在恢复的，这种ROM只能实现一次编程

EPROM（可擦除可编程只读存储器）
较多EOROM由浮动栅雪崩注入型MOS管构成
N型沟道浮动栅MOS电路
在漏端D加上正电压，便形成一个浮动栅，它阻止源S与漏D之间的导通，致使MOS管处于0状态
在D端不加正电压，则不能形成浮动栅，此MOS管能正常导通，呈1状态

这类芯片构成
地址线、数据线、Vcc、Vpp、CS片选端（读出时为低电平，编程写入时为高电平）
PD/progr功率下降/编程输入端（在读出时为低电平）

EPROM改写方法
1.紫外线照射，但擦除时间比较长，不能对个别单元进行单独擦除或重写
2.电气方法将存储内容擦除，再重写
在联机条件下，用字擦除方式或页擦除方式，既可局部擦写，又可全部擦写 （EEPROM）

闪速存储器（Flash Memory）
既有EPROM的价格便宜、集成度高的优点，又有EEPROM电可擦除重写特点
该器件具有存储器访问周期端，功耗低以及计算机接口简单等优点