A79T三极管,A79T芯片规格书

A79T是一款采用SOT23-3L封装的P沟道低内阻MOS管,其主要参数包括VDS=-30V,ID=-4.2A,RDS(ON)<65mΩ@VGS=-10V。这款芯片适用于需要高效能和低电阻特性的应用。
摘要由CSDN通过智能技术生成

A79T三极管的基本参数:VDS = -30V,ID = -4.2A,RDS(ON) < 65mΩ @ VGS=-10V

A79T芯片采用SOT23-3L环保材质的封装形式。A79T是一颗P沟道的低内阻场效应MOS管。

A79T芯片引脚功能:

A79T芯片规格书:PW3407

 

 

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