A79T三极管的基本参数:VDS = -30V,ID = -4.2A,RDS(ON) < 65mΩ @ VGS=-10V
A79T芯片采用SOT23-3L环保材质的封装形式。A79T是一颗P沟道的低内阻场效应MOS管。
A79T芯片引脚功能:
A79T芯片规格书:PW3407
A79T三极管的基本参数:VDS = -30V,ID = -4.2A,RDS(ON) < 65mΩ @ VGS=-10V
A79T芯片采用SOT23-3L环保材质的封装形式。A79T是一颗P沟道的低内阻场效应MOS管。
A79T芯片引脚功能:
A79T芯片规格书:PW3407