
先看图,这是一张2SC5200功放三极管的Vce-Ic 的曲线图,在技术群里老哥问了这样一个问题:
Q1:Vce指的是管压降还是加载在CE之间的电源电压?
A1:管压降,集电极和发射极之间电压,并且图中英文已经标出了。
Q2:以Ib=20mA曲线为例,该曲线上所有点的Ib电流值都等于20mA,由图可知Ib一定的前提下,Ic变化幅度很小,但Vce变化幅度很大,按照三极管放大特性的理解:Ib不变,Ic也就不变,Vce电压与Ic直接相关,所以正常情况Ic应该也是不变的?
A2:在放大区,Ib确定了Ic也就确定了,Vce变化不会影响什么?
Q3:这个表里面到底哪个才是变量?
上面老哥的提问,也让我对于当初很熟悉的晶体管输出特性曲线产生了怀疑?其实还是自身学习知识不够细致认真。

晶体管输出特性曲线表征的是基极电流Ib为一个常量的前提下,集电极电流Ic与管压降Vce的函数关系,并且这里的Vce是一个变量,Ic变化是根据Vce改变而改变的,其大小与Ic无关,是随着VCC电压进行变化。这是输出特性曲线的进行讨论的前提。
回归到第一张图也就明了了,这个图取自于芯片的规格书,其作用是为了帮助工程师选型。
所以在实际使用时,应该是在确定了VCC也就是Vce电压的前提下去寻找合适的芯片。图中的Vce是一个实验条件而不是一个结果。
当你选择芯片时,在确定了Vce基础上进行Ib和Ic的筛选,Vce越大可以选择的范围也就越小,如下图蓝框内的数据。
因为Vce一定,Ib增大,Ic并不是线性增大,随着Ic增大,放大倍数会降低,信号就会失真。
所以,尽量选择Ib变化增加时,Ic变化幅度较小的芯片。


总结:
在选择三极管时,务必好好确认器件规格书,出了一些常见参数,一些图示指标里面也有很多需要注意的细节。
多看多问多思考,学习硬件真的需要不断学习,没有这个老哥的问题,我肯定不会重新拿起模电圣经重新学习晶体管的知识。
