ASEMI快恢复二极管RS1M为什么能降低开关电源的噪声

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型号：RS1M

封装：SMA

特性：小电流、贴片

电性参数：1A  1000V

芯片材质：GPP

正向电流(Io)：1A

芯片个数：1

正向电压(VF)：1.3V

芯片尺寸：50MIL

浪涌电流Ifsm：30A

漏电流(Ir)：5uA

工作温度：-40~+150℃

恢复时间(Trr)：150ns~500ns

引线数量：2

 RS1M降低开关电源的噪声原因分析

    由于开关电源输入端较高的开关频率，以及整流二极管的反向恢复峰值电流高和反向恢复时间较长，因而产生谐波，并使电流、电压的波形严重畸变，噪声很高，用RS1M快恢复二极管替代普通整流二极管作为逆变器的输入整流器后，可使变频器的噪声降低到合理水平，这主要是由于RS1M快恢复二极管的关断特性(低的反向恢复峰值电流和短的反向恢复时间)所决定。其机制如下

 RS1M快恢复二极管的其主要反向关断特性参数为：反向恢复时trr；反向恢复峰值电流IRM；反向恢复电荷Qrr以及表示器件反向恢复曲线软度的软度因子S=tb／ta。而RS1M快恢复二极管的正向导通主要参数有：正向平均电流IF(AV)；正向峰值电压UFM；正向均方根电流IF(RMS)以及正向(不重复)浪涌电流IFSM。RS1M快恢复二极管的反向阴断特性参数为：反向重复峰值电压URRM和反向重复峰值电流IRRM。必须指出：反向恢复时间trr随着结温Tj的升高，所加反向电压URRM的增高以及流过的正向电流IF(AV)的增大而增长，而主要用来计算FRED的功耗和RC保护电路的反向恢复峰值电流IRM和反向恢复电荷Qrr亦随结温Tj的升高而增大。因此，在选用RS1M快恢复二极管时，必须充分考虑这些参数的测试条件，以便作必要的调整。