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快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高
反向恢复时间
反向恢复时间(tr)的定义:电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流,IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流,通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时,正向电流I=IF。当t>t0时,由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压,因此正向电流迅速降低,在t=t1时刻,I=0。然后整流器件上流过反向电流IR,并且IR逐渐增大;在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用,反向电流逐渐减小,并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。
反向恢复时间
测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF,脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号,利用电子示波器观察到的trr值,即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。设器件内部的反向恢电荷为Qrr,有关系式:
trr≈2Qrr/IRM (5.3.1)
由式(5.3.1)可知,当IRM为一定时,反向恢复电荷愈小,反向恢复时间就愈短
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。
这两种管子通常用于开关电源。
肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!
前者的优点还有低功耗,大电流,超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
肖特基二极管:反向耐压值较低40V-50V,通态压降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其
反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
快恢复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
通常,5~20A的快恢复二极管采用TO-220FP塑料封装,20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO-3P塑料封装,5A一下的快恢复二极管则采用DO-41,DO-15,或D0-27等规格塑料封装。
常见快恢复二极管参数表编辑
型号
|
品牌
|
额定电流
|
额定电压
|
反向恢复时间
|
封装极性
|
IN5817
|
GJ
|
1A
|
20V
|
10ns
| |
IN5819
|
GJ
|
1A
|
40V
|
10ns
| |
IN5819
|
MOT
|
1A
|
40V
|
10ns
| |
IN5822
|
MOT
|
3A
|
40V
|
10ns
| |
21D-06
|
FUI
|
3A
|
60V
|
10ns
| |
SBR360
|
GI
|
3A
|
60V
|
10ns
| |
C81-004
|
FUI
|
3A
|
40V
|
10ns
| |
8TQ080
|
IR
|
8A
|
80V
|
10ns
|
单管
|
MBR1045
|
MOT
|
10A
|
45V
|
10ns
|
单管
|
MBR1545CT
|
MOT
|
15A
|
45V
|
10ns
|
双管
|
MBR1654
|
MOT
|
16A
|
45V
|
10ns
|
双管
|
16CTQ100
|
IR
|
16A
|
100V
|
10ns
|
双管
|
MBR2035CT
|
MOT
|
20A
|
35V
|
10ns
|
双管
|
MBR2045CT
|
MOT
|
20A
|
45V
|
10ns
|
双管
|
MBR2060CT
|
MOT
|
20A
|
60V
|
10ns
|
双管
|
MBR20100CT
|
IR
|
20A
|
100V
|
10ns
|
双管
|
025CTQ045
|
IR
|
25A
|
45V
|
10ns
|
双管
|
30CTQ045
|
IR
|
30A
|
45V
|
10ns
|
双管
|
C85-009*
|
FUI
|
20A
|
90V
|
10ns
|
双管
|
D83-004*
|
FUI
|
30A
|
40V
|
10ns
|
双管
|
D83-009*
|
FUI
|
30A
|
90V
|
10ns
|
双管
|
MBR4060*
|
IR
|
40A
|
60V
|
10ns
|
双管
|
MBR30045
|
MOT
|
300A
|
45V
|
10ns
| |
MUR120
|
MOT
|
1A
|
200V
|
35ns
| |
MUR160
|
MOT
|
1A
|
600V
|
35ns
| |
MUR180
|
MOT
|
1A
|
800V
|
35ns
| |
MUR460
|
MOT
|
4A
|
600V
|
35ns
| |
BYV95
|
PHI
|
1.5A
|
1000V
|
250ns
| |
BYV27-50
|
PHI
|
2A
|
55V
|
25ns
| |
BYV927-100
|
PHI
|
2A
|
100V
|
25ns
| |
BYV927-300
|
PHI
|
2A
|
300V
|
25ns
| |
BYW76
|
PHI
|
3A
|
1000V
|
200ns
| |
BYT56G
|
PHI
|
3A
|
600V
|
100ns
| |
BYT56M
|
PHI
|
3A
|
1000V
|
100ns
| |
BYV26C
|
PHI
|
1A
|
600V
|
30ns
| |
BYV26E
|
PHI
|
1A
|
1000V
|
30ns
| |
FR607
|
GI
|
6A
|
1000V
|
200ns
| |
MUR8100
|
MOT
|
8A
|
1000V
|
35ns
|
单管
|
HFA15TB60
|
IR
|
15A
|
600V
|
35ns
|
单管
|
HFA25TB60
|
IR
|
25A
|
600V
|
35ns
|
单管
|
MUR30100
|
HAR
|
30A
|
1000V
|
35ns
|
单管
|
MUR30120
|
HAR
|
30A
|
1200V
|
35ns
|
单管
|
MUR1620
|
PHI
|
16A
|
200V
|
35ns
|
双管
|
MUR1620CT
|
MOT
|
16A
|
200V
|
35ns
|
双管
|
MUR1620P
|
MOT
|
16A
|
200V
|
35ns
|
双管
|
MUR1660CT
|
MOT
|
16A
|
600V
|
35ns
|
双管
|
HFA16TA600
|
IR
|
16A
|
600V
|
35ns
|
双管
|
MUR3030
|
GI
|
30A
|
300V
|
35ns
|
双管
|
MUR3040
|
MOT
|
30A
|
400V
|
35ns
|
双管
|
MUR3060
|
MOT
|
30A
|
600V
|
35ns
|
双管
|
HFA30TA600
|
IR
|
30A
|
600V
|
35ns
|
双管
|
MUR20040
|
MOT
|
200A
|
400V
|
35ns
|
双管
|
B92M-02
|
FUI
|
20A
|
200V
|
35ns
|
单管
|
C92-02
|
FUI
|
20A
|
200V
|
35ns
|
双管
|
D92M-02
|
FUI
|
30A
|
200V
|
35ns
|
双管
|
D92M-03
|
FUI
|
30A
|
300V
|
35ns
|
双管
|
DSE130-06
|
DSET
|
30A
|
600V
|
35ns
|
双管
|
DSE160-06
|
DSET
|
60A
|
600V
|
35ns
|
双管
|