DH2F100N6S-ASEMI快恢复模块DH2F100N6S

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DH2F100N6S在DH2F-2封装里采用的2个芯片，是一款快恢复模块。DH2F100N6S的浪涌电流Ifsm为2000A，漏电流(Ir)为1mA，其工作时耐温度范围为-40~170摄氏度。DH2F100N6S采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。DH2F100N6S的电性参数是：正向电流(Io)为100A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.3V，其中有2条引线。

DH2F100N6S参数描述

型号：DH2F100N6S

封装：DH2F-2

特性：快恢复模块

电性参数：100A600V

芯片材质：GPP硅芯片

正向电流(Io)：100A

芯片个数：2

正向电压(VF)：1.3V

浪涌电流Ifsm：2000A

漏电流(Ir)：1mA

工作温度：-40~+170℃

引线数量：2

 

DH2F100N6S快恢复模块封装系列。它的本体长度为92mm，宽度为27mm，高度为17.3mm，脚间距为35mm。DH2F100N6S适用于高速和大功率转换器、焊机，各种开关和电信电源，这种二极管模块非常适合电源转换器。

以上就是关于DH2F100N6S-ASEMI快恢复模块DH2F100N6S的详细介绍。