MUR20060CT-ASEMI快恢复模块MUR20060CT

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MUR20060CT在MUR-2封装里采用的2个芯片，是一款超快恢复模块。MUR20060CT的浪涌电流Ifsm为800A，漏电流(Ir)为1mA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。MUR20060CT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MUR20060CT的电性参数是：正向电流(Io)为200A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.3V，其中有2条引线。

MUR20060CT参数描述

型号：MUR20060CT

封装：MUR-2

特性：超快恢复模块

电性参数：200A600V

芯片材质：GPP硅芯片

正向电流(Io)：200A

芯片个数：2

正向电压(VF)：1.3V

浪涌电流Ifsm：800A

漏电流(Ir)：1mA

恢复时间Trr：110ns

工作温度：-40~+175℃

引线数量：2

 

MUR20060CT超快恢复模块封装系列。它的本体长度为92.2mm，宽度为20.3mm，高度为16mm，脚间距为34.9mm。MUR20060CT有双二极管结构、低漏电流、低正向压降、高浪涌电流能力、超快速切换等特点。

以上就是关于MUR20060CT-ASEMI快恢复模块MUR20060CT的详细介绍。