US1M-ASEMI高效恢复二极管US1M

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US1M在SMA封装里采用的1个芯片，是一款小电流、贴片高效恢复二极管。US1M的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。US1M采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。US1M的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.7V，其中有2条引线。

US1M参数描述

型号：US1M

封装：SMA

特性：小电流、贴片

电性参数：1A   1000V

芯片材质：GPP

正向电流(Io)：1A

芯片个数：1

正向电压(VF)：1.7V

浪涌电流Ifsm：30A

漏电流(Ir)：5uA

工作温度：-55~+150℃

恢复时间(Trr)：100ns

引线数量：2

 

US1M小电流、贴片封装系列。它的本体长度为4.6mm，加引脚长度为5.28mm，宽度为2.9mm，高度为2.62mm，脚宽度为1.6mm。US1M有塑料包装保证实验室可燃性，内置应变消除装置，非常适合自动放置，玻璃钝化芯片结，快速切换实现高效率，高温焊接等特点。

以上就是关于US1M-ASEMI高效恢复二极管US1M的详细介绍。