ASEMI肖特基二极管MBR30200FCT的特性与作用

最新推荐文章于 2023-10-24 16:42:49 发布
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编辑-Z

MBR30200FCT参数描述

型号：MBR30200FCT

封装：ITO-220AB

特性：肖特基二极管

电性参数：30A，200V

芯片材质：SI

正向电流(Io)：30A

芯片个数：2

正向电压(VF)：0.9V

芯片尺寸：122MIL

浪涌电流Ifsm：275A

漏电流(Ir)：0.05mA

工作温度：-65~+175℃

恢复时间(Trr)：<5nS

引线数量：3

MBR30200FCT的电性参数：正向平均电流30A；反向峰值电压200V

MBR30200FCT的包装方式：5000pcs/箱

 

MBR30200FCT的特征：

1、可燃性分类94V-O、阻燃环氧模塑料

2、金属硅结，多数载流子传导

3、低功耗、高效率

4、高电流能力

5、用于过压保护的保护环

MBR30200FCT的机械数据：

1、外壳：ITO-220AB模压塑料

2、端子：镀锡，可焊接，符合MIL-STD-750

3、极性：已标记

4、安装位置：任意

5、重量：0.055盎司，1.5615克

以上就是ASEMI肖特基二极管MBR30200FCT的详细参数和特征。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产，致力于半导体行业，专注电源领域。

ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

 

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MBR30100CT-ASEMI肖特基二极管MBR30100CT
12-08 341
MBR30100CT-ASEMI肖特基二极管MBR30100CT
ASEMI肖特基二极管PS2060L选型原则
qyx3868的博客
11-13 703
编辑-Z 在选用肖特基二极管PS2060L时，我们首先要考虑的就是PS2060L的正向电流和反向耐压（应大于应用值）。对于高频电流整流，一般负载选耐压比实际电压大2倍（例如：5V电压选10V肖特基）。感性负载可选3--5倍，最小电流余量要20%，（8A电流选用10A肖特基）一般余量为50%以上。大家可以根据PS2060L的参数按照上面的原则计算适合用在什么电路。除参数之外还有两个原则在选型时可以参考。 PS2060L参数描述 型号：PS2060L 封装：TO-277 特性：超低压降、低功耗
MBR20200CT的技术参数
12-11
产品型号:MBR20200CT反向重复峰值电压VRRM(max)(V):200平均整流器前向电流IO(max)(A):20瞬间前向电压VF(max)@IF(V):1.0@20A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):150瞬间反转电流IR(max)(mA):50@125℃封装/温度(℃):4TO220AB/-价格/1片(套):￥7.90  
ASEMI肖特基二极管MBR20200FCT参数详解
qyx3868的博客
09-28 1849
编辑-Z MBR20200FCT参数描述 型号：MBR20200FCT 封装：ITO-220AB 特性：低功耗、大电流和超高速 电性参数：20A 200V 芯片材质：si 正向电流(Io)：20A 芯片个数：2 正向电压(VF)：0.9V 芯片尺寸：102mil 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：20mA 工作温度：-65~+175℃ 恢复时间(Trr)：5ns 引线数量：3 MBR20200FCT的电性参数：正向平均电流20A；反向峰值电压200V MBR2
MBR20200CT-ASEMI肖特基二极管MBR20200CT
qyx3868的博客
06-29 4074
编辑-Z MBR20200CT在TO-220封装里采用的2个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款肖特基二极管。MBR20200CT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MBR20200CT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR20200CT的电性参数是：正向电流(Io)为20A，反向耐压为200V，正向电压(VF)为0.87V，恢复时间(Trr)达到5ns，其中有3条引线。 型号：MBR20200CT 封装：TO-220 特性：肖
MBR20200CTG的技术参数
12-11
产品型号:MBR20200CTG反向重复峰值电压VRRM(max)(V):200平均整流器前向电流IO(max)(A):20瞬间前向电压VF(max)@IF(V):1.0@20A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):150瞬间反转电流IR(max)(mA):1封装/温度(℃):TO-220/150（max）价格/1片(套):￥7.90  
ASEMI肖特基二极管MBR20200CT参数及代换
qyx3868的博客
10-24 885
在代换时，应选择与其参数类似的其他肖特基二极管，并考虑供应商和品牌的信誉和价格等因素。需要注意的是，代换型号选择时，除了参数匹配外，还应考虑供应商和品牌的信誉以及价格等因素。最好选择有良好口碑和提供技术支持的供应商。另外，建议在代换前进行相关测试，以确保代换型号在实际应用中的性能和稳定性。2. 平均整流电流(IO)：MBR20200CT的IO为20A，表示在正向导通时，该二极管能够承受的最大平均电流。3. 最大正向压降(VF)：MF20200CT的VF为0.86V，表示在正向导通时，该二极管的电压降低。
三相单控整流电路的设计及MBR30200PT在整流电路中的应用
01-12
下列为大家提供电路参数计算公式，桥式整流电路的优势，同样适用于ASEMI肖特基二极管MBR30200PT。　桥式整流电路参数极端公式　正极性桥式整流电路参数考虑因素有：负载电压的平均值UL、负载电流的平均值IL、二极管...
挖掘肖特基二极管正向压降大小与温度变化有什么关系？
weixin_43747182的博客
12-25 8027
  　　肖特基二极管正向压降与温度变化的关系？正向压降与温升变化是呈线性变化的关系，当肖特基二极管正向压降变小那么管子温度一定升高。          　　ASEMI肖特基二极管正向压降与温度的变化关系是怎样呢？我们知道对于肖特基二极管，很重要的一个性能指标是正向压降值大小（也就是VF值)。正是因为其拥有非常低的正向压降值，所以在输出功率一定的情况下,相比普通二极管于功率就体现更低的损耗。那...
分析TVS管和肖特基二极管的特性原理，这些你未必全都知道
weixin_43747182的博客
01-10 3332
  　　瞬态电压抑制器(TransientVoltageSuppressor)简称TVS，是一种二极管方式的高效能维护器材。 　　当的南北极遭到反向瞬态高能量冲击时，它能以10-12秒量级的速度，将其南北极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使南北极间的电压箝坐落一个预订值，有效地维护电子线路中的精细元器材，免受各种浪涌脉冲的损坏。            　　详细有以下三大特色...
MBRF20200CTG的技术参数
12-11
产品型号:MBRF20200CTG反向重复峰值电压VRRM(max)(V):200平均整流器前向电流IO(max)(A):20瞬间前向电压VF(max)@IF(V):1.0@20A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):150瞬间反转电流IR(max)(mA):1封装/温度(℃):PAK/150(MAX)价格/1片(套):￥18.00  
MBRB20200CTT4的技术参数
12-11
产品型号:MBRB20200CTT4反向重复峰值电压VRRM(max)(V):200平均整流器前向电流IO(max)(A):20瞬间前向电压VF(max)@IF(V):1.0@20A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):150瞬间反转电流IR(max)(mA):50@125℃封装/温度(℃):3D2PAK/-65~150价格/1片(套):￥13.00  
ASEMI肖特基二极管MBR30200FCT封装，MBR30200FCT体积
qyx3868的博客
12-15 384
工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃。端子：根据MIL-STD-750方法2026进行焊料电镀，可焊接。最大RMS电桥输入电压（VRMS）：140V。每个元件的典型热阻（ReJA）：1.4℃/W。最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V。最大平均正向整流输出电流（IF）：30A。峰值正向浪涌电流（IFSM）：275A。最大直流反向电流（IR）：0.05mA。最大直流阻断电压（VDC）：200V。最大瞬时正向压降（VF）：0.9V。封装：ITO-220AB。
MBR20200FCT-ASEMI肖特基二极管的应用分析
qyx3868的博客
09-13 540
编辑-Z 在电子行业，几乎每个工程师都知道MBR20200FCT肖特基二极管，但你真的了解MBR20200FCT的内部结构、功能、应用领域以及为什么广泛应用于高频开关电源吗？ MBR20200FCT参数描述 型号：MBR20200FCT 封装：ITO-220AB 特性：低功耗、大电流和超高速 电性参数：20A 200V 芯片材质：si 正向电流(Io)：20A 芯片个数：2 正向电压(VF)：0.9V 芯片尺寸：102mil 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：20mA
MBR20200CT-ASEMI肖特基MBR20200CT参数、规格、尺寸
10-18 383
MBR20200CT-ASEMI肖特基MBR20200CT参数、规格、尺寸
ASEMI肖特基二极管MBR20200FCT特征，MBR20200FCT应用
qyx3868的博客
12-14 693
工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃。端子：根据MIL-STD-750方法2026进行焊料电镀，可焊接。最大RMS电桥输入电压（VRMS）：140V。最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V。最大平均正向整流输出电流（IF）：20A。每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W。峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A。最大直流反向电流（IR）：0.05mA。最大直流阻断电压（VDC）：200V。最大瞬时正向压降（VF）：0.9V。封装：ITO-220AB。总长度：29.2mm。
ASEMI肖特基二极管MBR10200CT参数，MBR10200CT封装
qyx3868的博客
11-11 1040
工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃。端子：根据MIL-STD-750，方法2026，可焊接的镀锡端子。最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V。最大平均正向整流输出电流（IF）：10A。每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W。峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A。最大直流反向电流（IR）：0.05mA。重量：0.0655盎司，1.859克。最大瞬时正向压降（VF）：0.9V。外壳：TO-220AB模塑塑料。本体长度：15.87mm。封装：TO-220AB。
MBR40200PT-ASEMI插件肖特基二极管MBR40200PT
qyx3868的博客
11-12 779
MBR40200PT在TO-247封装里采用的2个芯片，其尺寸都是130MIL，是一款插件肖特基二极管。MBR40200PT的浪涌电流Ifsm为350A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR40200PT的电性参数是：正向电流(Io)为40A，反向耐压为200V，正向电压(VF)为0.9V，其中有3条引线。它的本体长度为21.3mm，加引脚长度为41.55mm，宽度为16.25mm，高度为5.05mm，脚间距为5.7mm。正向电流(Io)：40A。
ASEMI肖特基二极管MBR30200PT图片，MBR30200PT规格书
qyx3868的博客
11-12 567
工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃。端子：根据MIL-STD-750，方法2026，可焊接的镀锡端子。外壳：TO-247AD/TO-247S/TO-3P模塑塑料。每个元件的典型热阻（ReJA）：1.4℃/W。最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V。最大平均正向整流输出电流（IF）：30A。重量：0.2245盎司，6.3673克。峰值正向浪涌电流（IFSM）：275A。最大直流反向电流（IR）：0.05mA。最大瞬时正向压降（VF）：0.9V。引脚长度：20.25mm。
ASEMI线性稳压电源芯片接16伏会怎样
最新发布
07-26
ASEMI线性稳压电源芯片的设计通常用于将输入电压稳定并转换到所需的输出电压值上。如果该芯片设计成能够处理16伏特输入，并将其转换到特定的输出电压（例如5伏、9伏等），那么当您将其连接至16伏特的直流电源时，理论上它应该工作在稳定的输出模式下。 不过，在实际应用中，有几个关键点需要注意： 1. **负载电流**：电源芯片的工作状态受到其最大负载电流限制。这意味着尽管输入电压为16伏，若输出负载需要大量的电流，则可能导致输出电压低于预期或芯片过热。 2. **温度影响**：电源芯片在运行过程中会产生热量，尤其是在大电流或高输入电压下。这可能会影响芯片的性能和稳定性。良好的散热措施对于保持芯片正常运作至关重要。 3. **效率损失**：线性稳压电源相较于开关电源来说，通常效率较低。因此，输入电压过高可能会导致更多的能量以热能形式损失，降低整个系统的效率。 4. **保护机制**：许多电源芯片内置有过流保护、过温保护等功能，以防止损坏。如果输入电压显著高于额定范围，这些保护机制可能会启动，限制电流输出或完全切断输出。 5. **电路匹配**：正确的电路配置对电源芯片的工作非常重要。包括适当的电感、电容、滤波器以及反馈网络等，都直接影响到电源芯片的稳定性和效率。 因此，如果ASEMI线性稳压电源芯片设计为适应16伏特输入，理论上它可以稳定工作于期望的输出电压，前提是满足上述条件并且未超出其规格限制。然而，实际情况还需参考具体芯片的数据手册以及实际测试结果。为了确保安全有效操作，强烈建议查阅官方文档或联系制造商获取精确的信息和指导。
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