MBR20200FCT-ASEMI肖特基二极管的应用分析

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在电子行业，几乎每个工程师都知道MBR20200FCT肖特基二极管，但你真的了解MBR20200FCT的内部结构、功能、应用领域以及为什么广泛应用于高频开关电源吗？

MBR20200FCT参数描述

型号：MBR20200FCT

封装：ITO-220AB

特性：低功耗、大电流和超高速

电性参数：20A 200V

芯片材质：si

正向电流(Io)：20A

芯片个数：2

正向电压(VF)：0.9V

芯片尺寸：102mil

浪涌电流Ifsm：200A

漏电流(Ir)：20mA

工作温度：-65~+175℃

恢复时间(Trr)：5ns

引线数量：3

 

肖特基二极管MBR20200FCT是基于通过接触金属和半导体形成的势垒层制成的二极管。也称为肖特基势垒二极管，属于金属-半导体结二极管。MBR20200FCT主要特点是正向压降小、反向恢复时间短、开关损耗低。MBR20200FCT是一种低功耗、超高速的半导体器件，缺点是耐压比较低，反向漏电流比较大。

肖特基二极管MBR20200FCT势垒高度低于PN结势垒高度，正向导通阈值电压和正向压降也低于PN结二极管。MBR20200FCT肖特基二极管的结构和特性使其适用于低压大电流输出应用中的高频整流、高频检测和混频以及高速逻辑电路中的钳位。MBR20200FCT肖特基二极管常用于IC，也广泛用于高速计算机。

MBR20200FCT主要用于变频器、开关电源、模块电源、驱动电路等，用作整流二极管、保护二极管、续流二极管等，在微波通信电路中用作整流二极管和小信号检波二极管。

MBR20200FCT选型时主要考虑导通压降、反向饱和漏电流、额定电流、最大浪涌电流、最大反向峰值电压、最大直流反向电压、最大工作频率、反向恢复时间、最大耗散功率等参数。

肖特基二极管MBR20200FCT和快恢复二极管的区别在于，肖特基二极管MBR20200FCT的恢复时间比快恢复的要短一百倍左右。肖特基MBR20200FCT的反向恢复时间约为几纳秒，具有低功耗、大电流和超高速等优点。