20N20-ASEMI低功耗场效应管20N20

20N20是一款TO-220F封装的低功耗场效应管,具备20A的连续二极管正向电流,200V的漏源电压,0.18Ω的RDS(on),以及±30V的栅极阈值电压。其电性参数包括72A的脉冲二极管正向电流和158NS的反向恢复时间。工作温度范围覆盖-55~150℃。此外,该器件尺寸适中,适合多种应用场合。
摘要由CSDN通过智能技术生成

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20N20在TO-220F封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。20N20的脉冲二极管正向电流(ISM)为72A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N20的栅极阈值电压(VGS)为±30V,静态漏源导通电阻RDS(on)为0.18Ω。20N20的电性参数是:连续二极管正向电流(IS)为20A,漏源电压(VDSS)为200V,二极管正向压降(VSD)为1.5V,反向恢复时间(trr)为158NS。

20N20参数描述

型号:20N20

封装:TO-220F

特性:低功耗场效应管

电性参数:20A 200V

连续二极管正向电流(IS):20A

脉冲二极管正向电流(ISM):72A

漏源电压(VDSS):200V

栅极阈值电压(VGS):±30V

静态漏源导通电阻(RDS(on)):0.18Ω

二极管正向压降(VSD):1.5V

零栅极电压漏极电流(IDSS):10uA

反向恢复时间(trr):158NS

工作温度:-55~+150℃

引线数量:3

 

20N20插件封装系列。它的本体长度为16.07mm,加引脚长度为29.25mm,宽度为10.36mm,高度为4.90mm,脚间距为2.54mm。20N20有低固有电容,优异的开关特性,扩展安全操作区,100%雪崩等特性。

以上就是关于20N20-ASEMI低功耗场效应管20N20的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。

ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

 

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