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MDS55-16在MDS封装里采用的6个芯片,是一款三相整流模块。MDS55-16的浪涌电流Ifsm为920A,漏电流(Ir)为0.5mA,其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDS55-166采用GPP硅芯片材质,里面有6颗芯片组成。MDS55-16的电性参数是:正向电流(Io)为55A,反向耐压为1600V,正向电压(VF)为1.9V,其中有5条引线。
MDS55-16参数描述
型号:MDS55-16
封装:MDS
特性:三相整流模块
电性参数:55A 1600V
芯片材质:GPP
正向电流(Io):55A
芯片个数:6
正向电压(VF):1.9V
浪涌电流Ifsm:920A
漏电流(Ir):≤0.5mA
工作温度:-40~+150℃
引线数量:5
MDS55-16模块封装系列。它的本体长度为80mm,宽度为40mm,高度为26mm,加引脚高度为34mm,脚高度为8mm。MDS55-16是电源用三相整流器,用于直流电机现场电源的整流器、电池充电器整流器、变频驱动器的输入整流器等。