STW78N65M5-ASEMI原厂代理意法MOS管STW78N65M5

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STW78N65M5用的TO-247封装，是意法一款汽车级MOS管。STW78N65M5的漏源导通电阻RDS(on)为0.024Ω，零栅极电压漏极电流（IDSS）为1uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。STW78N65M5的输入电容（Ciss）为9000pF，输出电容（Coss）为210pF。STW78N65M5的电性参数是：连续漏极电流（ID）为69A，漏源击穿电压为650V，二极管正向电压（VSD）为1.5V，反向恢复时间（trr）为504ns，其中有3条引线。

STW78N65M5参数描述

型号：STW78N65M5

连续漏极电流（ID）：69A

功耗（Ptot）：450W

贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃

漏源击穿电压V(BR)DSS：650V

栅极阈值电压V(GS)th：4V

零栅极电压漏极电流（IDSS）：1uA

栅源漏电流（IGSS）：±100nA

漏源导通电阻RDS(on)：0.024Ω

输入电容（Ciss）：9000pF

输出电容（Coss）：210pF

二极管正向电压（VSD）：1.5V

反向恢复时间（trr）：504ns

 

STW78N65M5插件封装系列。它的本体长度是20.15mm，加引脚长度为34.95mm，宽度为15.75mm，高度为5.15mm，脚间距为5.45mm。

强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。