光刻微影製程(英語:)是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光阻层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上

光刻微影技术是半导体器件制造的关键步骤,涉及曝光、显影和刻蚀等工艺,用于在衬底上形成精确的几何图形结构。此过程先在衬底上涂抹光阻,经曝光后通过显影液溶解特定区域,再通过刻蚀或离子注入将图形转移到衬底。整个流程包括衬底准备、光阻涂抹、软烘干、曝光、显影、硬烘干、刻蚀或离子注入和光阻去除等多个步骤。
摘要由CSDN通过智能技术生成

光刻

微影製程(英語:)是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光阻层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含晶圆,还可以是其他金属层、介质层,例如玻璃SOS中的蓝宝石

概述

在硅晶片上涂光阻剂的甩胶机

下面以衬底上金属连接的刻蚀为例讲解光刻过程。

首先,通过金属化过程,在硅衬底上布置一层仅数纳米厚的金属层。然后在这层金属上覆上一层

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