本文介绍了低位交叉编址如何提升存储器带宽和访问速度。通过轮流编址方式，高位表示体内地址，低位表示体号，实现流水线访问，使得在一个存取周期内能访问多个存储模块，类似于总线的分离式通讯，从而提高效率。
低位交叉编址——用于存储器带宽/访问速度的提高
- 结构：与高位交叉编址存储器结构相同
- 特点
- 多个体轮流编址
- 高位表示存储体体内地址，低位表示存储体体号
- 采用轮流的方式对地址进行编码，横向存储代码数据
- 低位交叉编址示意图
- 工作过程：在不改变存取周期的情况下，增加存储器带宽
- 以流水的方式访问不同的存储体，可以在一个存取周期内访问四个模块
- 类似总线中的分离式通讯，申请占用总线 → 传输数据 → 取消占用总线 → 模块自身处理数据（即：模块在处理数据时不占用总线）
- 横向存储数据，各模块均可申请使用总线，传输数据后立刻与总线断开，数据在各模块内独立处理</
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