sanshamo的博客

前段时间完成了一个IP在HLMC_55工艺下的后端设计，在此记录如下。        关于工艺        本次设计选用工艺库为IH55LP_HS_RVT_V2p3_1P4M_1TM2X,设计中不包含IO及Memory，因此物理库只引用standard_cell。关于时序库，target_library选择ih55lp_hs_rvt_ss_1p08_125c_basic.db，link_

这个IP是大概两个月之前所做的，当时没有做记录，现在凭印象略做记录。 APR流程14nm工艺比较新，本人之前从未做过，好在所用APR工具依然支持，流程也基本差不多。总体而言，比较明显一个不同点在于量纲不同与其他工艺，比如时间量纲从其他工艺常用的ns变成来ps，电容量纲从pF变成了fF。本次设计中包含十一个主时钟，另有26个衍生时钟。最高速时钟周期为1600ps。时钟树做完后

时间：2018年7月项目简介：本公司测试片的流片项目，把hdmi_tx和edp两个IP放在一个mpw中进行流片。采用gf22 9M_2Mx_5Cx_2Ix_LB工艺。芯片面积2960x2960um2，wirebond封装，132管脚。独立完成full chip数字部分从netlist到gds的物理设计。责任描述：工艺环境设置脚本的修改，包括所用工艺、金属层次、库路径的确认。      ...

时间：2018年4月项目简介：本公司测试片的流片项目，把hdmi_tx、vdac codec三个IP放在一个mpw中进行流片。采用fujitsu55 1P7M1G 工艺。芯片面积4070x4070um2，wirebond 144 封装。独立完成full chip数字部分从netlist到gds的物理设计。责任描述：工作环境的准备，包括设置脚本的修改、物理库的生成等。          ...