Emosyn TT120芯片迁移

author: scruffybear

release time: 19/06/2007

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    前两个月做了Emosyn TP系列芯片COS迁移到TT120芯片的工作，感觉同为Emosyn的这两款芯片还是有较大区别的，抛开各种细节不说，单就芯片类型来说，TP系列芯片是EEPROM芯片，而Emosyn TT120芯片是一款Flash芯片，下面就TT120芯片的一些主要特性进行说明。

寻址方式
    我们将整个芯片的地址空间称之为NVM，用户可配置空间称之为UCM，就TP100-2为例，它有98K的NVM空间，其中66K的UCM和32K的EEPROM。而TT120有120K的NVM，同样也是120K的UCM。可支配空间清楚了，剩下就是如何对芯片空间进行访问读写了。
    TP系列和TT120都是8051核心，TP系列芯片的内存控制是通过MMU装置进行空间分配，通过“Code Banking”机制，在Bank0，Bank1，Bank2，Bank3之间进行切换，达到访问超过64K空间的目的，也就是说所有的地址空间都可以通过两字节的DPTR进行访问。
    而TT120芯片没有MMU装置，但是它支持24位的寻址模式，也就是“24-Bit Contiguous Addressing Mode”，抱歉不知道“Contiguous”怎么翻译。使用24位的寻址模式，也就是可以寻址16M空间大小，而TT120仅有120K的Flash空间大小，所以不使用MMU装置就可以访问所有空间，并且还真有点“大材小用”，在以后的更大容量的智能卡中还有更大的发挥空间。
    24位寻址模式也叫扩展寻址模式，在汇编语言中的16位寻址模式中，DPTR是由DPH，DPL两个寄存器组成的，如果是24位的扩展寻址模式，DPTR是由DPX，DPH，DPL三个寄存器组成的，三个寄存器可以作为一个24位的整体进行运算。
    如果需要使用24位的寻址模式，需要在KEIL编译环境中进行一下相关的设置以支持扩展寻址模式，在“Project”-“Options for Target ‘TT120’”-“Device”菜单下，如图1中的红圈中所示，需要用LX51连接器替换BL51连接器，需要用AX51汇编器替代A51汇编器。

                                                          图1
    在“Project”-“Options for Target ‘TT120’”-“Target”菜单下，需要选中“Contiguous Mode:512KB program”，因为我们的程序大小远小于512K，所以不选择16M模式。另外还要选择“’far’ memory type support”，如图2所示。

                                                          图2
    在C51中，与24位寻址模式相对应的是far远程类型指针，通过far类型指针的定义，可以访问16M的地址空间。实际上我们的COS在8051核的情况下只考虑了16位的地址模式，对于超过64K的地址空间，采用的是扩展区块寻址方式进行操作，也就是“块号+偏移量”的方式。
    现在的问题是：如何由TP系列的16位寻址模式迁移到TT120的24位寻址模式，用另外一种说法是原来访问基本区使用两字节就可以，现在访问基本区需要使用三字节（因为基本区前面放代码）。我们是不是应该在C51中使用far类型指针呢。答案是否定的。因为在芯片的迁移过程中，应该尽可能地减少对原有系统的修改，也就是说还是应该在C51中使用16位的寻址模式，超过64K的地址空间，使用扩展区操作解决（也是16位地址）。
    现在要达到使用16位的地址对24位的地址空间进行寻址，可以采用基地址的方法进行解决。在对flash的120K地址进行寻址时，通过加上基地址的方法将上层用到两字节DPTR和DPTRW转换为底层读写用的三字节DPTR和DPTRW。具体到程序中，对于基本区，所有的地址都要加上EEPBASE，用完之后都要减去EEPBASE。对于扩展区，所有的地址都要加上EXTBASE，用完之后都要减去EXTBASE。对于SRAM，所有的地址都要加上XRAMBASE，用完之后都要减去XRAMBASE。
    虽然说这样实现起来很麻烦，但是为了做到与原来的COS相兼容并改动最小，只有采用这个方法了。
页擦除方式
    芯片是存储信息的方式归根到底都是由二进制的1和0组成的。对芯片进行读操作是没有问题的，很容易理解，但是在对芯片进行写的时候麻烦就来了。芯片存储的二进制只能由1写成0，不能由0写成1，要将0写成1，只能通过擦除操作。所以我们要对芯片写一个字节时，必须先要将这个字节擦掉（如果有必要的话，也就是0要写成1），再进行写操作。
    但是芯片的擦写粒度是有区别的，以TP系列EEPROM芯片为例，每次最小可以擦除8字节，对于TT120 Flash芯片，每次最小只能擦除256字节。
    对于TP系列，要写入8字节中的某一个字节，必须将8字节全部擦除（如果必要擦），殃及了邻近的字节也被擦掉，再进行写。所以这里引入了备份的概念，先将8字节进行备份，对备份区进行操作，擦除8字节，再将备份区写回。这样就达到了写一字节的目的。写一串数据也是同样的道理。
    对于TT120的写操作，也是一样的道理，只是备份的大小变了而已，每次备份 256字节，每次擦256字节。这一点与三星的C9DD类似，但C9DD不是8051核心。

批量脚本调试环境
    Emosyn的TP系列和TT120都没有硬件仿真，只能通过纯软件进行仿真。这给编程者的调试带来了极大的痛苦，因为在KEIL集成的串口输入的窗口中，不能粘贴，不能复制，不能回退，而且每次只能输入一个字符，如果输入错一个数据，全部重新输入。而且软件仿真也没有硬件仿真可靠稳定。而调试时又免不了有大数据量的输入，所以在这种情况下调试起来基本上类似于慢性自杀。
    在TT120项目中，进行了批量处理脚本的调试环境配置，模拟了批量数据的串口输入。

                                                           图3
    Keil UV3集成了批量处理脚本的工具，但是需要进行后期再开发配置，以下进行说明。
    按图3进行相应的选择，需要对APDU_Test.ini文件进行相应编程。
    定义信号量函数，SIGNAL void ApduTest(void)和SIGNAL void ApduTest_reset(void)，在这两个函数进行循环，分别对APDU_Command_Buffer[]和APDU_Command_Buffer1[]数组里的内容进行处理，达到大批量处理串口输入的目的。
    最后定义两个按钮：
        define button "ApduTest", "ApduTest()"    
        define button "ApduTest_after_reset", "ApduTest_reset()" 
  
    可以通过这两个按钮启动信号量函数，达到对串口的仿真大批量输入。

    而APDU_Command_Buffer[]和APDU_Command_Buffer1[]数组定义在APDU_Test.h文件中，APDU_Test.h文件由Timecosc.c文件中被引入。APDU_Test.h的格式如下：
code APDU_Command_Buffer []=
{
 0xA0, 0x20, 0x00, 0x0B, 0x08, 01, 
  0x36, 0x34, 0x37, 0x32, 0x32, 0x32, 0x38, 0x38, 02,   //A020000B083634373232323838SW9000
}；
code APDU_Command_Buffer1 []=
{
   0xA0, 0x10, 0x00, 0x00, 0x14, 01,
}

进行仿真如下所示（图4和图5）：

                                           图4

                                           图5
几个重要的缩写：

    MMU  Memory Management Unit
    NVM  Non-Volantile Memory
    UCM  User Configurable Memory