如何选择硅TVS二极管器件

电压和电流瞬变是电子系统中固体元件失效的主要原因。这些瞬变现象是储存能量突然释放的结果。瞬态可以由系统内部和外部的各种源产生。最常见的瞬变原因包括电源和机电设备的正常开关操作、交流线路波动、雷击浪涌SURGE和静电放电(ESD)。

上海雷卯电子提供多种硅雪崩二极管(TVS二极管)，旨在提供高水平可靠的保护，以防止电涌的破坏。

硅雪崩二极管具有大面积连接点 ， 以提供高浪涌电流处理能力 。 它们的进一步特征是极 快的响应时间和雪崩模式下的低动态阻抗 。TVS提供了几个优势 ，包括 ：

1. 钳位电压较低

2. 没有磨损限制

3. 物理尺寸小

4. 宽电压范围

5. 高瞬态功率耗散

这些器件有各种各样的轴向引线封装和表面安装与塑料封装。在需要极高水平的瞬态吸收能力的应用中，MDE半导体公司提供了定制和标准TVS高电流堆叠组件的完整系列

然而，无论应用什么，特定的设备参数和准则构成选择TVS的基准。

TVS术语

在讨论如何选择TVS之前，必须先定义某些关键术语。

单向瞬态抑制器的典型V-I特性曲线如图1A所示。双向TVS的曲线如图1B所示。

TVS的关键参数是:

最小击穿电压(VBR)是TVS成为瞬态(即设备进入雪崩击穿)的低阻抗路径的点。

2. 测试电流(IT)是指击穿电压所在的电流

3. VRWM是最大额定直流工作电压。在这个级别，TVS将处于非导电模式。这个参数也