m0_50862404的博客

原创 WIN11下查看电脑或笔记本当前所连接WIFI的密码

WINDOWS11系统下查看正在连接的WIFI的连接密码

原创 理解Keil编译器中编译程序时出现的Code、RO-data、RW-data和ZI-data的含义

Code：代表执行的代码，程序中所有的函数；RO-data：代表只读数据（Read Only Data），程序中所定义的全局常量数据；RW-data：代表已初始化的读写数据（Read And Write Data），程序中定义并且初始化的全局变量和静态变量；

原创 source insight最新版4.0.0124下载安装以及使用

官网下载地址：https://www.sourceinsight.com/Source Insight是如今非常好用的语言编辑器之一，支持几乎所有的语言， 如C、C++、ASM、PAS、ASP、HTML等常见的，还支持自己定义关键字，Source Insight提供了可快速访问源代码和源信息的功能。Source Insight自动创建并维护它自己高性能的符号数据库，包括函数、method、全局变量、结构、类和工程源文件里定义的其它类型的符号。Source Insight 可以迅速地更新的文件信息，即使

原创 Keil软件中map文件解析

MDK / Keil软件中map文件解析，map文件是通过编译器编译之后，集程序、数据及IO空间的一种映射文件。很多技术牛逼的工程师在遇到内存越界，或溢出的情况，首先想到的就是分析map文件。通过map文件可以知道函数大小，入口地址等一些重要信息。...

原创 Keil编译大小和存储说明

MDK / Keil、IAR编译大小和存储相关说明及拓展

原创 单片机常用的ADC数据滤波算法

单片机常用的ADC数据滤波算法，限幅滤波，中位值滤波，算数平均滤波，递推平均滤波，一阶滞后滤波，加权递推平均滤波......

原创 旋转编码器的使用———基于STM32F103C8T6的定时器4编码器模式

旋转编码器驱动程序，基于STM32的定时器编码器模式驱动

原创 重装电脑系统

磁盘分区格式和启动引导关系：磁盘存储数据的结构目前主要有两种：MBR分区和GPT分区，GPT分区比较新，比MBR好电脑开机时需要BIOS引导才能启动，两种数据结构的开机引导方式不一样，所以引导模式也分两种：Legacy引导模式：MBR格式分区的磁盘UEFI引导模式：GPT格式分区的磁盘一些老旧的主板和电脑并不支持UEFI的引导模式启动，那就只能用Legacy的引导模式去启动了，磁盘分区时便需要用MBR格式。BIOS界面中，一个系统U盘会出现两个，其中一个带有UEFI开头，对应用UEFI引导模式

原创 EXCEL中对一列数据每隔n行提取数据出来

工作中，当表格中记录的数据较多，我们又不需要那么多的数据时，同时想希望对一列数据每隔n行提取一个数据出来，这时我们便可以利用excel提供的公式进行数据的提取，处理数据也会更方便。。。以下便是我们要操作的数据了，加入我们想将C列的一整列数据，每隔2行取一个数据出来，在想要存放所提取出来数据的地方，填入以下公式=OFFSET($C$1,ROW(C1)*2,0)我这里在E2单元各填入，公式里用到了两个函数，一个是OFFSET，一个是ROW。OFFSET(reference, rows, cols,

原创 MOS管驱动电流估算

MOS管驱动电流估算及MOS驱动的几个特别应用解析MOS管驱动电流估算是本文的重点，如下参数：有人可能会这样计算：开通电流Ion=Qg/Ton=Qg/Td(on)+tr，带入数据得Ion=105nc/(140+500)ns=164mA关断电流Ioff=Qg/Toff= Qg/Td(off)+tf，带入数据得Ioff=105nc/(215+245)ns=228mA。于是乎得出这样的结论，驱动电流只需 300mA左右即可。仔细想想这样计算对吗？这里必须要注意这样一个条件细节，RG=25Ω。所以这

原创 教你看懂MOSFET数据手册

MOS管数据手册上的相关参数有很多，以MOS管4C020为例，下面一起来看一看，MOS管的数据手册一般会包含哪些参数吧。极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏。VDS表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。VGS表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。ID表示漏极可承受的持续电流值，如果流过的电流超过该值，会引起击穿的风险。IDM表示的是漏源之间可承受的单次脉冲电流强度，如果超过该值，会引起击穿的风险。EAS表示单脉冲雪崩

原创 开关电源中开关管与二极管EMI抑制方法分析

开关电源中开关管与二极管EMI抑制方法分析1、引言电磁干扰(EMI)就是电磁兼容不足,是破坏性电磁能从一个电子设备通过传导或辐射到另一个电子设备的过程。近年来，开关电源以其频率高、效率高、体积小、输出稳定等优点而迅速发展起来。开关电源已逐步取代了线性稳压电源，广泛应用于计算机、通信、自控系统、家用电器等领域。但是由于开关电源工作在高频状态及其高di/dt和高dv/dt，使开关电源存在非常突出的缺点——容易产生比较强的电磁干扰(EMI)信号。EMI信号不但具有很宽的频率范围，还具有一定的幅度，经传导和辐射

原创 LED发光二极管的主要参数与结构介绍

LED发光二极管的主要参数与结构介绍我们知道，LED芯片的主要功能是：可以直接把电转化为光，它可以说是LED的心脏。本文简单介绍了LED芯片的基础知识即：LED芯片的分类、结构、特点以及重要参数等内容。LED芯片是半导体发光器件LED的核心部件(LED灯)，LED发光的原理主要在于LED芯片的P-N结。一般来说，半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结(LED电视)。当电流通过导线作用

原创 TVS二极管的应用与分析

TVS二极管的应用与分析瞬态电压抑制器（TVS）具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、家用电器、仪器仪表等各个领域。本文将结合TVS应用的特点及使用注意事项，介绍TVS的几种典型应用电路，并通过TVS在热插拔电路保护和汽车电源线保护中应用的实例，来详细探讨如何正确应用TVS和使TVS的应用效能最佳。在实际的应用电路中，处理瞬时脉冲对器件损害的最好办法，就是将瞬时电流从敏感器件引开。为达到

原创 二极管的基础知识资料

基本概念：二极管由管芯、管壳和两个电极构成。管芯就是一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线，并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，就构成了晶体二极管，如下图所示。P区的引出的电极称为正极或阳极，N区的引出的电极称为负极或阴极。二极管的伏安特性二极管的伏安特性是指加在二极管两端电压和流过二极管的电流之间的关系，用于定性描述这两者关系的曲线称为伏安特性曲线。通过晶体管图示仪观察到硅二极管的伏安特性如下图所示。正向特性1、外加正向电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流几乎为零，曲线OA段称为不

原创 续流二极管在开关电源的作用

续流二极管在开关电源的作用引言续流二极管都是并联在线圈的两端，线圈在通过电流时，会在其两端产生感应电动势。当电流消失时，其感应电动势会对电路中的原件产生反向电压。当反向电压高于原件的反向击穿电压时，会把原件如三极管，等造成损坏。续流二极管并联在线两端，当流过线圈中的电流消失时，线圈产生的感应电动势通过二极管和线圈构成的回路做功而消耗掉。从而保护了电路中的其它原件的安全。在电路中反向并联在继电器或电感线圈的两端，当电感线圈断电时其两端的电动势并不立即消失，此时残余电动势通过一个二极管释放，起这种作用的二

原创 稳压二极管限流电阻怎么选择

稳压二极管限流电阻怎么选择概述稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管 。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。稳压二极管起电压调节作用，当负载电流减少时，限流电阻两端电压降便下降，输出电压上升，即相对地加大稳压二极管的反向电压，稳压电流IZ上升，使IRS亦上升，限流电阻RS的管压降便上升，输出电压下降，结果输出电压保持不变。缺点是不能获得较大输出电流。电压调节百份比：电压的稳定程度，比数愈低愈好，当直流电压输入VS或负载电流IL变动,其

原创 继电器为什么要并联二极管

继电器为什么要并联二极管继电器为什么要并联二极管电感和电感器电感（inductor）是一个绕在磁性材料上的导线线圈（coil），电感通以电流时产生磁场（magnetic field），磁场很懒，不喜欢变化，结果呢，电感就成为阻碍其电流（current）变化的元件。如果流过电感的电流恒定，电感就很高兴，不用对电子流出任何力（force），此时的电感线圈就是普通导线。如果我们想中断电感中的电流，电感就会出力（电动势，EMF），试图维持其中电流。如果电感自身构成回路，电路中又没有电阻（resistanc

原创 细说MOS管知识-MOS管高端驱动与低端驱动解析和原理及区别

**细说MOS管知识-MOS管高端驱动与低端驱动解析和原理及区别**详解MOS管的高端驱动和低端驱动，我们先来看看什么是高端驱动、什么是低端驱动。高端驱动：高端功率开关驱动的原理非常简单，和低端功率开关驱动相对应，就是负载一端和开关管相连，另外一端直接接地。正常情况下，没有控制信号的时候，开关管不导通，负载中没有电流流过，即负载处于断电状态；反之，如果控制信号有效的时候，打开开关管，于是电流从电源正端经过高端的开关管，然后经过负载流出，负载进入通电状态，从而产生响应的动作。基本的驱动原理图如图所

原创 MDK、Keil 5 界面主题优化

MDK / Keil多种风格界面优化

原创 AutoCAD三维建模图——汽车车轮

点击前往下载链接AutoCAD三维建模图——汽车车轮，超真实，带胎路纹理，轮毂钢圈等等

原创 AutoCAD二维平面图纸——手表

点击前往下载链接线绘带表带的手表二维平面图纸，已经面域填充颜色

原创 AutoCAD二维平面图，线绘——茶道，意境图

点击前往下载链接AutoCAD二维平面图，线绘——茶道，意境图线绘了一副茶道意境的二维图

原创 AutoCAD二维平面图，线绘——彩纹手提壶

点击前往下载链接 AutoCAD二维平面图，线绘——彩纹手提壶详细图纸

原创 AutoCAD二维平面图纸——彩蝶

点击前往下载链接 图纸详情均已面域并填充颜色

原创 AutoCAD二维平面图纸，逼真描绘——机械手表

资源里包含两个图纸，一个为机械手表的轮廓描绘线条图，一个为面域好并填充颜色的图

原创 多种开关电源MOS管驱动电路详细解析

MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。1、MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管

原创 开关电路分析——MOS加速电容的作用图解

加速电容的作用典型的加速电容电路图所示是脉冲放大器（一种放大脉冲信号的放大器）中的加速电容电路。电路中的Q1是三极管，是脉冲放大管，C1并联在R1上，C1是加速电容。C1的作用是加快Q1导通和截止的转换速度，所以称为加速电容。（1) 控制脉冲低电平，电路达到稳态时，晶体管截止，电容两端电压为零。（2） 控制脉冲高电平到来时，由于电容电压不能突变，电容的电压需继续保持零，这样，晶体管基极B电压突变到高电平（通过电容抬升），使晶体管迅速导通；当电容被充电到脉冲电平电压时；进入到稳态，电容电压为脉冲电

原创 MOS 管驱动设计细节,波形分析

一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。如果不考虑纹波和EMI等要求的话，MOS管开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短，那么MOS管开启的速度就会越快。与此类似，如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关断的

原创 四种常见的MOS管栅极驱动电路

1、IC直接驱动型这种电源IC的直接驱动是最常见、最简单的驱动方式。使用这种方法，我们应该注意几个参数及其影响。首先查看电源IC手册，了解最大峰值驱动电流，因为不同的IC芯片具有不同的驱动能力。其次，检查MOSFET的寄生电容，如图中的C1、C2和C3，如果容值较大，导通MOS管所需的能量也比较大。如果电源IC没有足够的峰值驱动电流，晶体管将以较慢的速度开启。如果驱动能力不足，上升沿可能会出现高频振荡，即使减小图1中的Rg也无法解决问题！而IC驱动能力、MOSFET寄生电容、MOSFET开关速度

原创 boost开关Vds电压波形分析

原创 运算放大器的差分放大电路

差分放大电路利用电路参数的对称性和负反馈作用，有效地稳定静态工作点，以放大差模信号抑制共模信号为显著特征，广泛应用于直接耦合电路和测量电路的输入级。但是差分放大电路结构复杂、分析繁琐，特别是其对差模输入和共模输入信号有不同的分析方法，难以理解，因而一直是模拟电子技术中的难点。差分放大器工作状态上图a电路，是输入信号IN1=IN2的状态。（1）因输入端的“虚断”特性，同相输入端为高阻态，其输入电压值仅仅取决于R1、R2分压值，为2V。同相输入端的2V电压可以看作成为输入端比较基准电压；（2）因两输入

原创 详说MOS管开关时的米勒效应

米勒平台形成的基本原理MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而

原创 PCB设计的一些小技巧

PCB设计的一些小技巧1、如何选择PCB板材？选择PCB板材必须在满足设计需求和可量产性及成本中间取得平衡点。设计需求包含电气和机构这两部分。通常在设计非常高速的PCB板子(大于GHz的频率)时这材质问题会比较重要。例如，现在常用的FR-4材质，在几个GHz的频率时的介质损(dielectricloss)会对信号衰减有很大的影响，可能就不合用。就电气而言，要注意介电常数(dielectricconstant)和介质损在所设计的频率是否合用。2、如何避免高频干扰？避免高频干扰的基本思路是尽量降低高频信

原创 Altium Designer调整PCB丝印位号经验

针对后期元件装配，特别是手工装配元件，一般都得出 PCB 的装配图，用于元件放料定位之用，这时丝印位号就显示出其必要性了。生产时PCB上丝印位号可以进行显示或者隐藏，但是不影响装配图的输出。按快捷键“L”，按所有图层关闭按钮，即关闭所有层，再单独勾选只打开丝印层及相对应的阻焊层，即可对丝印进行调整了。以下是丝印位号调整遵循的原则及常规推荐尺寸：　　（1）丝印位号不上阻焊，放置丝印生产之后缺失。　　（2）丝印位号清晰，字号推荐字宽/字高尺寸为4/25mil、5/30mil、6/45mil。　　（3）保持方

原创 【经验分享】58个硬件工程师基础知识面试题

01请列举您知道的电阻、电容、电感品牌（最好包括国内、国外品牌）▶电阻美国：AVX、VISHAY威世日本：KOA兴亚、Kyocera京瓷、muRata村田、Panasonic松下、ROHM罗姆、susumu、TDK台湾：LIZ丽智、PHYCOM飞元、RALEC旺诠、ROYALOHM厚生、SUPEROHM美隆、TA-I大毅、TMTEC泰铭、TOKEN德键、TYOHM幸亚、UniOhm厚声、VITROHM、VIKING光颉、WALSIN华新科、YAGEO国巨新加坡：ASJ大陆：FH风华、捷比信▶

原创 LM1875官方电路图元件作用解释说明以及电路调校

R1是为C1提供充放电回路用的电阻，这是老外工作严谨的地方，其实接好电位器之后直流通路就已经存在了，这个加上只能防止最恶劣情况时也能把C1的电能放掉，尽管只有一点点C1是输入电容，主要作用是隔离前后级的直流信号，但是这个电容对音质的影响很大，可以换用不同的品牌和容量来部分修改音质和音色R2提供LM1875正输入端的直流电平控制点，接地就表示在理想情况下Lm1875的输出直流电平是0V；还有一个作用就是确定放大器的交流输入阻抗为电阻值。R3、R4是反馈电阻，这个电路的放大倍数为R4/R3+1=21倍。.

原创 采用LM1875组成的各种功放电路

LM1875是美国国半公司研发的一款功放集成块，它具有外围电路少、不失真功率大、单双电源均能工作，并且电路内自备过载、过热及抑制反向电势的安全工作区保护(感性负载)，是高中档音响中理想的电路。合应用在音频放大，伺服放大，桥路放大，测试系统中的功率放大。本文将介绍LM1875组成的各种功放电路。1.直流负反馈BTL功放电路LM1875功率放大器电路简单，音色优美，具有胆机音色。用其制作的功率放大器，在正负25V电压下输出功率可达25W，为了输出更大的功率，可以接成BTL电路。以下电路输出功率超过60W(8

原创 二、电脑C盘空间的优化

软件下载文件的存放位置设置日常生活中所使用的软件，很多的缓存文件夹，下载文件夹都会在安装时便被默认设置在C盘的目录下，时间久了，随着文件的缓存越来越多，C盘剩余的空间也越来越少，如果系统出了故障需要重装系统时，很多文件存在C盘里，随着系统的重装当中某些重要的数据也会丢失。本篇便来教导大家，如何避免此事件的发生，优化C盘的存储空间。微信微信几乎是电脑中必装的软件了，随着聊天记录越来越多，特别在工作中有很多文件需要发送接收，这些文件，如果没有设置它的缓存位置，那么都会存储在你的C盘里的某个文件夹下打开微

原创 一、电脑C盘空间的优化

1.桌面文件的位置移动桌面的文件默认是存放在C盘里的，而日常生活工作中，经常会把一些临时性的或者常用性的文件资料等放在桌面上，以便于访问使用，时间久了以后，桌面的文件越来越多，C盘剩余的空间也越来越少。其实，桌面的文件位置是可以自定义存放的具体步骤打开文件资源管理器（此电脑），在左侧栏中，可看到桌面、下载、文档、视频，图片…我们先在其他盘中，比如D盘或者E盘等等任意一个盘的根目录下，新建一个文件夹，命名为Systemflie命名为中文名也是可以的，但考虑到某些国外的软件对中文路径下的兼容性问