2.6 SSD之ECC/LDPC

1. ECC: Error checking and correction

2011年做手机memory时，2D NAND检错和纠错算法是ECC，一个page 2k，每256 bytes做ecc，纠1检2。

分为行校验和列校验，简单的说就是从行或列逐层做异或(^)，奇数个1就是1，偶数个1就是0.

write时比如按列来看(行的原理一样)，还是画出来图容易明白：

Byte 0

bit7

bit6

bit5

bit4

bit3

bit2

bit1

bit0

RP0

RP2

RP4

...

RP14

Byte 1

bit7

bit6

bit5

bit4

bit3

bit2

bit1

bit0

RP1

Byte 2

bit7

bit6

bit5

bit4

bit3

bit2

bit1

bit0

RP0

RP3

Byte 3

bit7

bit6

bit5

bit4

bit3

bit2

bit1

bit0

RP1

...

...

...

...

...

...

...

...

...

...

...

...

...

...

...

...

...

...

...

...

...

...

...

...

RP15

Byte 252

bit7

bit6

bit5

bit4

bit3

bit2

bit1

bit0

RP0

RP2

RP5

Byte 253

bit7

bit6

bit5

bit4

bit3

bit2

bit1

bit0

RP1

Byte 254

bit7

bit6

bit5

bit4

bit3

bit2

bit1

bit0

RP0

RP3

Byte 255

bit7

bit6

bit5

bit4

bit3

bit2

bit1

bit0

RP1

CP1

CP0

CP1

CP0

CP1

CP0

CP1

CP0

CP3

CP2

CP3

CP2

CP5

CP4

CP0: bit 0/bit 2/bit 4/bit 6 这4列异或。

CP1: bit 1/bit 3/bit 5/bit 7 这4列异或。

CP2: bit 0/bit 1/bit 4/bit 5 这4列异或。

CP3: bit 2/bit 3/bit 6/bit 7 这4列异或。

CP4: bit 0/bit 1/bit 2/bit 3 这4列异或。

CP5: bit 4/bit 5/bit 6/bit 7 这4列异或。

最后得出CP0-5, RP0-15总共 22 bits，在NAND中占用3个 Bytes放在Spare区。

	bit7	bit6	bit5	bit4	bit3	bit2	bit1	bit0
Byte 0	RP7	RP6	RP5	RP4	RP3	RP2	RP1	RP0
Byte 1	RP15	RP14	RP13	RP12	RP11	RP10	RP9	RP8
Byte 2	CP5	CP4	CP3	CP2	CP1	CP0	1	1

read时怎么用它来纠错和检错呢？

同Write一样计算CP，RP，计算结果和spare中存放的进行对比。为

如果read出来的结果有1bit反转，怎么找出并纠正呢？

刚才的图再拿过来用下，还是从列先讲原理，比如bit2的列里存在1个bit反转，从最外层往里二分法比较。

bit7列	bit6列	bit5列	bit4列	bit3列	bit2列	bit1列	bit0列
CP1	CP0	CP1	CP0	CP1	CP0	CP1	CP0
CP3		CP2		CP3		CP2
CP5				CP4

对比CP4/CP5与之前存入的比较，发现CP4不一致；然后下一层级对比CP2/CP3发现在CP3，最后一层得出CP0不一致也就找到了bit2这一列。

同理，从行找到具体哪行，就确定那个bit发生了反转了，纠正过来。

如果有2个bit发生反转，假如在同一行，通过CP能找到在哪2列，但是RP是完全相同找不到在哪行。所以2个及以上的bit反转ECC就无能为力了。

2.LDPC: Low Density Parity Check Code

发展到3D NAND后，ssd容量也变大了，单个page也大了。ECC的纠正能力就难以满足，于是有了2k LDPC，到现在的4k LDPC。

LDPC是稀疏校验矩阵线性分组码，分为正则编码和非正则编码。简单点说就是设计一个校验矩阵H和生成矩阵G并且满足HG=0。write时数据和G矩阵异或，得出编码c；read时数据的转置和H矩阵做异或，得出编码s，s为0则解码成功。