浅谈pSLC ,鱼和熊掌如何兼得

浅谈 pSLC ,鱼和熊掌如何兼得

一、什么是 pSLC

pSLC（Pseudo-Single Level Cell）即伪 SLC，是一种将 MLC/TLC 改为 SLC 的一种技术，现 Nand Flash 基本支持此功能，可以通过指令控制 MLC 进入 pSCL 模式，存储时在 MLC 的每个单元中仅存储 1bit 数据，使 MLC 拥有 SLC 的性能，同时具有 MLC 的性价比。从理论上讲，MLC 转换为 SLC 就是只使用 Lower page，而不使用 Upper page。

如图所示，单个单元中，MLC 可以存储 2bit 数据，单个单元可以拥有 4 种状态，当进入 pSLC 模式后，仅保存 1bit 数据。

二、各 NAND FLASH 的特点

MLC 常用制程为 15nm，擦写次数约为 3000 次，改为 pSLC 模式后约为 2 万次。对于电力行业，很多产品是需要持续写入运行中的数据，并且单个数据量小（小于 512 字节），整体数据量大（2 个月的总写入量高达 2T）。对于 NAND 存储的压力非常大，之前很多产品都是选择的 8Gbit 的 SLC NANDFLASH，但是 8Gbit 及以上容量的 SLC NAND 成本非常高。CS 创世 推出了 pSLC 的 SD NAND 之后，容量更大，并且 P/E cycle 也能比 MLC 大幅度提高。非常值得相关应用的产品来选型，测试，评估。

三、pSLC 的优缺点

pSLC 具有以下优点：
（1）与相同容量下的 SLC 相比，成本更低，体积更小；
（2）比 MLC 更高的 P/E 次数。

pSLC 的缺点：
（1）寿命与性能略低于 SLC；
（2）pSLC 模式会牺牲原生芯片的一部分容量。

四、应用场景

CS 创世推出的 2GB pSLC SD Nand,尺寸为 6.2*8mm，使用标准 SD2.0 协议，可以无需修改软件直接替换 SD 卡和 TF 卡，采用了贴片式 SD NAND 后能使您的产品更稳定更安全同时有效增加使用寿命。该芯片几乎达到了协议的最高理论速度（25MB/s），连续读取最高速度可以到达 20.6MB/s,连续写入最高速度可以达到 19.4MB/s。

pSLC SD Nand 在文件传输时无论是大文件还是小文件，读写速度都可以保持在一个稳定的状态，同时在反复擦写、异常掉电等特殊场景都具有良好表现，且芯片温宽达到-25℃ 到 85℃，同时兼具 SLC 的优点和 MLC 的性价比，是工业存储设备不二选择。

深圳市雷龙发展有限公司主营 Nand Flash 15 年，产品应用领域有：医疗设备，工业控制，PON，安防，机顶盒，DVR，通信，网络设备，IPC，执法记录仪，可视对讲，门禁考勤，平板电脑，汽车电子，电力设备，工业仪器设备，POS 机，数码相机，教育电子等。其代表客户包括:创维，友华，糖猫，西门子，阿巴町，TCL，ZTE，ABB，Vtech 等。

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编者想说的一些话：外行看图片，内行看数据

pSLC (Pseudo Single-Level Cell) 是一种存储技术，它通过对原本的多层单元 (MLC, TLC, 或 QLC) 闪存进行特定的调整，使其表现得像单层单元 (SLC) 闪存。SLC 闪存是最基础的 NAND 闪存技术，每个存储单元只存储一个比特，而 pSLC 则是通过限制多层单元中存储的比特数量，来达到类似 SLC 的效果。尽管 pSLC 并不像真正的 SLC 那样存储每单元一个比特，但通过这种操作，可以获得一些技术上的优势。

以下是 pSLC 的技术优势分析：

1. 写入性能提升

pSLC 的存储单元每个仅存储一个比特，而不是 MLC、TLC 闪存中常见的两个、三个或更多比特。这意味着 pSLC 在写入数据时，只需要在电压范围内精确地表示两个状态（0 或 1），而不是 MLC 的四个状态（00, 01, 10, 11）或者 TLC 的八个状态。这种较低的复杂度大大简化了写入操作，使得写入速度得以显著提升。

• 具体表现：与 TLC 和 QLC 闪存相比，pSLC 的写入速度可以提高数倍，接近甚至超过原生 SLC 的写入性能。因此，pSLC 常被用于需要高写入速度的场景，如缓存区域和临时数据的存储。

2. 耐用性增强

耐用性，通常指闪存的可擦写寿命，是闪存的一大关键指标。由于 pSLC 模式只需要存储一个比特，它的擦写过程对单元的损耗比 MLC 或 TLC 要小得多。在 MLC、TLC、QLC 闪存中，由于每个存储单元存储的状态数较多，单元材料需要承受更多的电压变化，导致耐用性下降。而 pSLC 的简单电压变化使得它的耐用性与原生 SLC 更接近。

• 具体表现：pSLC 的擦写寿命比 MLC、TLC 高出数倍甚至十倍以上，特别是在企业级应用中，pSLC 提供了比传统 NAND 技术更长的使用寿命。

3. 数据可靠性提升

pSLC 模式下，每个存储单元只需要存储一个比特，因此需要区分的电压状态较少。状态之间的电压差较大，这意味着 pSLC 模式能够更加稳健地保持数据状态，受到电压漂移或材料退化的影响也较小。相比之下，MLC、TLC 由于需要区分更多的电压状态，电压变化导致的数据误差更容易发生。

• 具体表现：pSLC 模式具有更好的数据保存能力和纠错能力，尤其在高温、湿度等恶劣环境中，它的数据可靠性表现更为优异，适合用于数据持久性要求较高的场景。

4. 功耗较低

由于 pSLC 只需存储一个比特，所需的电压调整和控制要简单得多。这也意味着在写入数据时，电路的负担较小，能耗较低。在大量读写操作中，pSLC 的低功耗特性尤其明显。

• 具体表现：pSLC 模式相比 MLC 或 TLC 模式功耗更低，特别适合需要长时间运行或者电源有限的设备，如工业级存储器、便携式设备等。

5. 降低延迟

pSLC 技术的另一大优势是它的低延迟。因为每个单元只需要区分两个状态，读写操作的复杂性显著减少。这导致了较短的访问延迟，尤其是在读取时，pSLC 比 MLC、TLC 更快，可以显著提升存储系统的响应速度。

• 具体表现：对于需要高性能存储访问的场景，比如高频交易、实时数据处理和数据库应用，pSLC 可以提供比多层单元存储更低的延迟。

6. 成本相对可控

尽管原生 SLC 闪存具有极高的性能和耐用性，但由于其较高的生产成本和有限的存储密度，它的市场推广受到限制。pSLC 技术通过在 MLC、TLC 甚至 QLC 的基础上实现 SLC 类似的性能，可以在一定程度上保持 SLC 的优势，同时将成本控制在一个更合理的范围内。

• 具体表现：相比原生 SLC，pSLC 提供了更高的性价比，尤其是在需要较高性能和耐用性的应用中，pSLC 是一种成本较低的解决方案。

7. 数据存储寿命延长

在某些存储应用中，数据需要长期存储而不经常访问，pSLC 提供了较好的存储稳定性和数据保持能力。由于每个存储单元只需要存储一个比特，电压漂移和其他电气干扰对数据完整性的影响较小。

• 具体表现：pSLC 在工业级和企业级存储中常被用于需要长期稳定保存数据的场景，比如档案存储、日志保存和备份。

8. 适用场景广泛

pSLC 技术适合于多种应用场景，特别是在对性能和可靠性有较高要求的领域。它可以被广泛应用于高性能存储器、服务器缓存、工业控制系统、汽车电子系统以及各类需要高写入耐久性和低延迟的应用中。

• 具体表现：例如，在数据中心和企业级 SSD 中，pSLC 技术常常被用作写缓存区域，以提高整体存储系统的写入性能和可靠性。

总结

pSLC 技术结合了 SLC 的部分优势（如高性能、长寿命和数据可靠性）和 MLC、TLC 的存储密度优势。通过在多层单元闪存上模拟单层单元操作，pSLC 技术实现了写入性能提升、耐用性增强、数据可靠性提高、功耗降低、延迟减少等技术优势。

尽管 pSLC 并不能完全替代原生 SLC 的高性能和极长寿命，但它在性能、耐用性和成本之间取得了很好的平衡，成为许多高要求应用场景中的理想选择。

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