S3C2410存储控制器

最新推荐文章于 2022-06-18 13:56:23 发布

stuyou

最新推荐文章于 2022-06-18 13:56:23 发布

阅读量478

点赞数

分类专栏：嵌入式软硬件

本文链接：https://blog.csdn.net/stuyou/article/details/105713822

版权

这篇博客介绍了如何在S3C2410平台上编写并烧录leds.c程序。程序链接地址设为0x30000000，与SDRAM起始地址匹配。通过LINUX环境下运行make生成sdram.bin，然后使用特定工具将其烧录到NAND FLASH的1-2扇区中。重新启动开发板后，LED会被点亮，验证程序成功执行。

摘要由CSDN通过智能技术生成

主机环境：UBUNTU10.04LTS+arm-linux-gcc 2.95.3

开发板环境：EdukitIII实验箱+s3c2410子板

问题描述：程序首先烧写到NAND FLASH中，启动CPU时，CPU会通过内部的硬件把NAND FLASH开始的4KB数据复制到成为“Steppingstone”的4KB的内部RAM中（起始地址为0），然后跳到地址0开始执行。本程序先使用汇编程序设置好存储控制器，使外接的SDRAM能够使用，然后把程序本身从Steppingstone复制到SDRAM中，最后跳到SDRAM中执行。该程序功能实现了循环点亮LED灯。

【1.硬件原理】

EDUKITIII实验箱的外设如NOR FLASH，IDE接口、网卡、CPLD、SDRAM等都是通过存储控制器与S3C2410连接的。本程序以设置SDRAM为例，来学习如何使用存储控制器。S3C2410存储控制器的地址空间分布如图1所示

转存失败重新上传取消

图1 S3C2410存储控制器的地址空间分布图

可以看到，BANK6,7可以连接SDRAM，EDUKITIII实验箱是把SDRAM连接到BANK6，SDRAM型号为HY57V561620，共2片(位于S3C2410子板上)，所以SDRAM容量一共为4LBank*4M*16bit*2=64MByte(1片HY57V561620共有4个逻辑bank即LBank，每个逻辑bank有13条行地址线，9条列地址线，共22条地址线，每个LBank可寻址范围为4M，每个存储单元位数为16位)，硬件连接如图2所示

转存失败重新上传取消

图2 S3C2410子板上SDRAM连接图

由图1可知，SDRAM的起始地址为0x30000000，容量为64MB，所以结束地址为0x30000000+64M=0x33FFFFFF。存储控制寄存器一共有13个，存储控制寄存器的地址从0x48000000到0x48000030，下面分别讨论这些存储控制寄存器的使用方法:

1.BWSCON，位宽和等待控制寄存器，地址和各位含义如图3

转存失败重新上传取消

图3 BWSCON地址和各位含义

STx:启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚，对于SDRAM，此位为1；对于SRAM，此位为0

WSx：是否使用存储器的WAIT信号，一般设为0

DWx：设置相应BANK的位宽，00对应8位，01对应16位，10对应32位，对于S3C2410，一共使用了2片SDRAM，每片16位，所以两片共同构成的位宽为32为，因此DW6=10。其余BANK没有使用，所以DW1-5可以设置为00。对于EDUKITIII，根据上述讨论，BWSCON寄存器的值为0x22011110

2.BANKCONx,x=0~5,BANK控制寄存器，地址及其各位含义如图4