summer_awn的博客

9 数据存储HDD（hard disk drive）：以磁材料为基础，安培定则写：用电流产生磁场，写入数据读：在两个储存单元内，检测是否有变化的磁场，读出数据HDD的问题：慢，重，噪音，功耗SSD（solid state disk）：NAND， Fujio Masuoka， 1986， 东芝floating gate 技术已经在EEPROM有所应用，并不是新技术NAND结构，写入数据的方式，Vgs = 20V，电子聚集在floating gate中擦除数据的方式，V.

1 电脑中的内存冯诺依曼架构：内存和计算单元分离二进制编码，二进制计算内存特点：可读，可写，可保持内存的需求：读写速度，容量，每比特花费，数据保持时间，耐写能力，功耗，非易失性存储三级存储结构：Cache memory （SRAM），主存（DRAM），机械硬盘/固态（NAND flash）2 Cache memory...

SRAMNMOS结构，Ids vs Vgs的曲线，log（Ids） vs Vgs的曲线，Ids vs Vds的曲线。PMOS结构。CMOS 反相器的直流特性。两个CMOS互联构成CMOS Latch Circuit，butterfly curve。基本SRAM cell的结构，一个cell6个tansisitor，WL，BL。MOSFET尺寸缩小原理，当Vdd、W、L、tox、NA（掺杂浓度）都变成1/k倍时，Ids = 1/k，Cg = 1/k，t = 1/k，P = 1 / k.

现如今，无论是计算机还是手机，都离不开存储设备。根据冯诺依曼结构，存储设备和cpu是分开的。为了平衡存储空间，读写速度，价格等因素，大多数设备中都使用了2到3级不同的存储设备。第一级存储需要有最快的速度，但容量很小。cache作为cpu缓存，使用最快的SRAM电路实现，通过把主存中的数据拷贝到cache中，提高cup的访问速度。cache中需要的最关键技术就是地址的映射问题，有三种方法直接映射、全相连映射和组相联映射。第二级存储需要较快速度，也要有一定的容量。这就是我们常说的主存(内存条),