半导体基础知识
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summer_awn
这个作者很懒,什么都没留下…
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半导体器件技术
1 什么是半导体真空管,1904晶体管,1947电阻率ρ,电导率σ导体,半导体,绝缘体四价元素,硅,高纯度晶体硅,正四面体结构,电子层,最外层电子2 硅的物理特征硅原子内部:圆周运动 × 波函数√电子云,概率,硅原子中的能量等级K,L,M层导带,阻带,能量带空隙,自由电子空穴理论根据波函数算自由电子波长,然后算电子波能量,导带的能级密度费米-狄拉克分布,可以计算在硅单质中的电子数以及空穴数费米能量,玻尔兹曼常数,绝对温度掺杂半导体,P型,N型..原创 2020-08-08 14:08:59 · 452 阅读 · 0 评论 -
低功耗设计技术(下)
7毛刺glitch:由组合电路中的信号抖动导致减少毛刺的方法:1 在合适的位置加上buffer(通过EDA工具实现)。 2 加入触发器同步减少晶体管的数量就可以减少开关次数:表达式化简,复合门,传输门要考虑的功耗:平均功耗,最大功耗,待机功耗,关断模式下的功耗,内存维持功耗,睡眠模式功耗器件/电路设计级别的低功耗技术:1 晶体管尺寸最优化。 2 减小结电容。 3 插入buffer。4 改变Vth。5 多电压架构/逻辑设计级别的低功耗技术:1 低频下的高性能。2 hardwire.原创 2020-08-06 10:02:55 · 803 阅读 · 0 评论 -
低功耗设计技术(上)
低功耗设计的原因:发热,辐射,电池容量,环境,电迁移在高电流下导致的金属短路断路,热载流子效应,IR drop,噪声幅度集成电路设计流程及对应的低功耗技术系统/架构设计:软硬件分离,架构的比较与选定,并行或流水线设计,单元模块的选定RTL设计:门控时钟,操作数隔离,内存分割综合:低功耗综合版图设计:门控时钟的时钟树综合(CTS),低功耗布局布线功耗组成:动态功耗,静态功耗(贯通电流,漏电流)动态功耗:P = CV^2fα。C:负载电容,V:供电电压,f:时钟频率...原创 2020-08-04 10:54:52 · 617 阅读 · 0 评论 -
LSI系统介绍
LSI :Large scaled ICSOC:System on a chip摩尔定律:集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔两年便会增加一倍硅特性,P型半导体,N型半导体,PN结,二极管,NMOS,PMOS长沟道模型,Ids VS Vds 图像、公式,Ids VS Vgs 图像,log(Ids) VS Vgs 图像短沟道效应:DIBL(Drain induced barrier lowing),击穿效应,饱和区不恒定mos寄生电容,Cgb、Cgs、Cgd、C...原创 2020-07-26 15:05:05 · 6278 阅读 · 0 评论