随机访问存储器

随机访问存储器：动态的和静态的

静态的比动态的更快

SRAM：作为高速缓存存储器，可以在CPU芯片上，可以在片下

DRAM：作为主存以及图形系统的帧缓冲区

静态RAM：

SRAM:将每个位存储在一个双稳态的存储单元中

该单元用一个六晶体电路来实现的，无限期的保持在两个不同电压配置或者状态之一

动态RAM：

DRAM:对每一个存储为对一个电容充电

抗干扰能力很差

很多原因会导致漏电，存储器系统必须周期性的读出，然后重写来刷新存储器的每一位

传统的DRAM

DRAM芯片中单元被分为d个超单元，每个超单元由w个DRAM单元组成，一个d*w的DRAM总共有dw位信息

DRAM芯片连接在存储控制器的电路上，电路一次可以传出传入w位,为了读出(i,j)超单元的内容，先将行地址i发送到DRAM,再将j发送到DRAM

若想在DRAM读出超单元(2,1),如图所示先讲第二行所有的数据都读出来保存在内部行缓冲区中，接下来存储器控制器发送列地址1，读出超单元(2,1)中的8位

二维阵列组织的缺点是必须分两步发送地址，增加了访问的时间

存储器模块

DRAM芯片包装在存储器模块中，插在主板的扩展槽上

DIMM：双列直插存储器模块，以64位为块传送数据到存储控制器，168个引脚

SIMM：单列直插存储器模块，以32位为块传送数据到存储控制器，72个引脚

非易失性存储器

非易失存储器：只读存储器

• PROM,只能被编程一次
• ROM，可擦写，可编程
• 闪存