电路杂谈——MOS管Datasheet常用参数的识别

MOS管的极限参数和动态参数使我们在使用时最为关注的点，在电路设计中，我们需要尽可能多的去考虑到电路的设计要求去选定合适的参数。在本篇文章中，介绍了一部分MOS管最常用的参数，涵盖了大部分的应用范围。

一、$V_{DS}(V)$

$V_{DS}$为最大漏源电压。该电压是在栅源短接，漏极和源极未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定$V_{DS}$。该电压即为我们常说的耐压，指的是被控制电路加在漏源两端最大压差。在电路设计中要充分考虑到这个值的大小。

二、$V_{GS}(V)$

$V_{GS}$为最大栅源电压。栅极和源极之间的电压是控制MOS管导通的关键。NMOS栅源电压正偏，PMOS栅源电压反偏。由于MOS管的栅极是MOS管最薄弱的地方，设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。

三、$I_D(A)$

$I_D$为连续漏极电流。$I_D$定义为芯片在最大额定结温$T_J$下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。
$I_D$中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在$25℃$也很难。因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于$I_D$额定值$@TC=25℃$的一半，通常在$1/3～1/4$。补充，如果采用热阻的话可以估算出特定温度下的$I_D$，这个值更有现实意义。
在实际使用中要充分考虑电路的电流大小来选取合适的MOS，否则在OCP或者OLP测试时，将会有电流击穿的风险。

四、$R_{DS{(}_{ON})}(m\Omega )$

$R_{DS{(}_{ON})}$为漏源导通电阻。$R_{DS{(}_{ON})}$是指在特定的漏电流（通常为$I_D$电流的一半）、栅源电压和25℃的情况下测得的漏-源电阻。该电阻对MOS功耗的影响比较大。
统一规格的MOS管，其内部电阻越小越好，直接关系到MOS管的导通损耗。在大功率电源中，$R_{DS{(}_{ON})}$引起的损耗占整个MOS管损耗的较大部分。

五、$P_D(W)$

$P_D$为容许沟道总功耗。容许沟道总功耗标定了器件可以消散的最大功耗，可以表示为最大结温和管壳温度为25℃时热阻的函数。该值越大越好，实际使用中要控制MOS管的功耗在该范围内。

六、$T_J(°C)$

$T_J$标定了器件工作的温度区间，在使用中应该避免超过这个温度。设定这样的温度范围是为了满足器件最短工作寿命的要求。如果确保器件工作在这个温度区间内，将极大地延长其工作寿命。

七、$C_{iss}(pF)$

$C_{iss}$为输入电容。将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。$C_{iss}$是由栅漏电容$C_{gd}$和栅源电容$C_{gs}$并联而成，或者$C_{iss}=C_{gs}+C_{gd}$。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启，放电致一定值时器件才可以关断。因此驱动电路和$C_{iss}$对器件的开启和关断延时有着直接的影响。
改参数直接影响到MOS管的开关时间，$C_{iss}$越大，同样驱动能力下，开通和关断的时间就越慢，开关损耗就越大。这就是为什么要在电源电路中增加加速电路的原因，但是较慢的开关速度有比较好的EMI特性。

八、$C_{oss}(pF)$

$C_{oss}$为输出电容。将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容。$C_{oss}$是由漏源电容$C_{ds}$和栅漏电容$C_{gd}$并联而成，或者$C_{oss}=C_{ds}+C_{gd}$对于软开关的应用，$C_{oss}$非常重要，因为它可能引起电路的谐振。

九、$C_{rss}(pF)$

$C_{rss}$为反向传输电容。在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容。反向传输电容等同于栅漏电容。$C_{rss}=C_{gd}$，反向传输电容也常叫做米勒电容，对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数，他还影响这关断延时时间。电容随着漏源电压的增加而减小，尤其是输出电容和反向传输电容。

十、$t_r(ns)$

$t_r$为MOS管的上升时间。上升时间是漏极电流从10%上升到90%所经历的时间。

十一、$t_f(ns)$

$t_f$为MOS管的下降时间。下降时间是漏极电流从90%下降到10%所经历的时间。

十二、$t_{d(on)}(ns)$

$t_{d(on)}$为导通延时时间。导通延时时间是从当栅源电压上升到10%栅驱动电压时到漏电流升到规定电流的10%时所经历的时间。

十三、$t_{d(off)}(ns)$

$t_{d(off)}$为关断延时时间。关断延时时间是从当栅源电压下降到90%栅驱动电压时到漏电流降至规定电流的90%时所经历的时间。这显示电流传输到负载之前所经历的延迟。
以上这四个时间都是MOS管时间相关的参数，他们之间相互关联。开关速度快对应有点是开关损耗小，效率高，温升低，但是EMI效果差，关断尖峰高。

十四、$Q_g(nC)$

$Q_g$为栅极电荷。栅电荷值反应存储在端子间电容上的电荷，开关的瞬间，电容上的电荷随电压的变化而变化，所以设计栅驱动电路时经常要考虑栅电荷的影响。

十五、$V_{GS(th)}(V)$

$V_{GS(th)}$是使漏源导通的栅源控制电压值。指加的栅源电压能使漏极开始有电流，或关断MOSFET时电流消失时的电压，测试的条件（漏极电流，漏源电压，结温）也是有规格的。正常情况下，所有的MOS栅极器件的阈值电压都会有所不同。因此，$V_{GS(th)}$的变化范围是规定好的。$V_{GS(th)}$是负温度系数，当温度上升时，MOSFET将会在比较低的栅源电压下开启。
$V_{GS(th)}$越高，MOS管的米勒平台越高，开启过程越慢，开关损耗越小，温升就越小。
MOS管在实际使用中的电压要大于$V_{GS(th)}$，如果长期工作在平台电压附件，容易造成MOS管不能完全导通，内阻急剧上升，造成热失效的现象。