了解 MOS 管的 SOA 安全工作曲线,包括温度降额,不同脉宽电流估算。
目录
一. MOS 管的 SOA 介绍
1.1 SOA
SOA 安全工作曲线有五个阈值:Rds(on)、电流、最大功率、热不稳定性和 BVsdd。下图是 Ti 的 CSD9536KTT 的 SOA 曲线。其中 Rds(on)、电流、最大功率和 BVdss 可以从手册的电气规范计算得到。热不稳定性区域:最大功率线在以对数表示的 Ids 电流与 Vds 电压具有 -1 的斜率,这里可能发生热失控,并且斜率越陡,FET 就越容易在更高的击穿电压下进入热失控状态。
1.2 温度降额
在器件壳温升高的情况下,SOA 电流估算采用线性降额系数,
由上图中 SOA 可以看出器件在 Vds = 12V 和 Ids = 7.3A 的条件下安全运行 10ms(25°C )。当温度上升到 Tc = 100°C 时,器件在 Vds = 12V 且 脉冲宽度为 10ms 的条件下安全支持 2.9A 电流。
1.3 估算不同脉冲宽度的 SOA
Ti MOS 管数据表中 SOA 曲线的脉冲宽度十倍关系(例如 10µs、100µs、1ms、10ms),下图展示了 CSD17570Q5B 数据表 SOA 曲线中的 Ids 与 Tpw 值的对数坐标图。
可以使用 10ms 和 100ms 脉冲宽度的 SOA 电流来估算 20 ms 脉宽的电流能力为 6.1A,公式如下所示:
进而可以对 20 ms 脉宽的电流能力进行温度降额。
二. 总结
功率 MOSFET 常应用于开关模式或线性模式。开关模式应用包括直流/直流转换器、D 级音频放大器和电机驱动器。线性模式应用包括用于热插拔、负载开关以及作为线性稳压器旁路元件的浪涌控制。 MOSFET 输出特性如下图所示,在不同 的 Vgs 电压下, Ids 与 Vds 可分为两个区域:在线性区域中,Vds 远小于 Vgs – Vgs(th)。 Ids 随 Vds 成比例增加。在饱和区域中,Vds 大于 Vgs – Vgs(th),Ids 随着 Vds 的增大而略有增加。
开关模式下,FET 在关断状态 (Vgs << Vgs(th) 且 Ids = 0A)和线性区域之间转换。在开关转换期间,FET 快速通过饱和区域,如蓝色虚线所示。由于饱和区域的持续时间较短,FET 不会产生过多的功率损耗,因此对 SOA 几乎没什么影响。在线性模式应用中,FET 在饱和区域长时间运行,其中 MOS 两端会有电压,同时会有电流通过器件,导致高功率损耗和结温升高。