LM5106MMX/NOPB 德州TI 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

描述
LM5106是高压栅极驱动器，设计用于以同步降压或半桥配置来驱动高端和低端N沟道MOSFET。浮动高侧驱动器能够在最高100V的轨电压下工作。单个控制输入与TTL信号电平兼容，并且单个外部电阻器通过紧密匹配的导通延迟电路对开关转换死区进行编程。强大的电平转换技术可在消耗低功率的同时高速运行，并提供干净的输出转换。当低压侧或自举高端电源电压低于工作阈值时，欠压锁定将禁用栅极驱动器。 LM5106采用VSSOP-10或耐热增强型10引脚WSON塑料封装。FAE：13723714318

特性
驱动高端和低端N通道
场效应管
1.8A峰值输出灌电流
1.2A峰值输出源电流
自举电源电压范围高达118V DC
单个TTL兼容输入
可编程开启延迟（死区时间）
使能输入引脚
快速关断传播延迟（典型值为32 ns）
以15ns上升时间和10ns下降时间驱动1000pF
电源导轨欠压锁定
低功耗
WSON-10（4 mm×4 mm）和VSSOP-10封装