![](https://img-blog.csdnimg.cn/20201014180756925.png?x-oss-process=image/resize,m_fixed,h_64,w_64)
韦尔
szrileyH
这个作者很懒,什么都没留下…
展开
-
ESD5401N-2/TR瞬态电压抑制器
说明ESD5401N是TVS(瞬态电压抑制器) 旨在保护敏感的电子元件连接到数据和传输线 ESD(静电放电),EFT引起的过应力(电快速瞬变)和闪电。ESD5401N可用于提供高达ESD的ESD保护根据IEC61000-4-2,±30kV(接触放电),和可承受高达8A(8 /20μs)的峰值脉冲电流IEC61000-4-5。ESD5401N采用DFN1006-2L封装。标准产品不含...原创 2019-03-27 15:11:15 · 975 阅读 · 0 评论 -
WNM2020-3/TR MOS场效应晶体管
说明WNM2020是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电电路。 标准产品WNM2020是无铅的无卤。品牌:韦尔型号;WNM2020-3/TR封装:SOD923包装:3000年份:18+特征 FAE:13723714318海沟技术Supper高密度电池设计出色的导通电阻极...原创 2019-03-28 09:43:48 · 1225 阅读 · 0 评论 -
WNM2021-3/TR N通道增强型MOS场效应晶体管
描述WNM2021是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电电路。 标准产品WNM2021是无铅的无卤特征FAE:13723714318海沟技术Supper高密度电池设计出色的导通电阻极低的阈值电压小型封装SOT-323应用DC-DC转换器电路负载开关等级转换小信号开关...原创 2019-03-28 10:06:09 · 2621 阅读 · 0 评论 -
WNM2030-3/TR
描述WNM2030是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电电路。 标准产品WNM2030是无铅的无卤品牌:韦尔型号;WNM2030-3/TR封装:SOT723包装:80000年份:18+特征海沟技术Supper高密度电池设计出色的导通电阻,可提供更高的直流电极低的阈值电压...原创 2019-03-28 11:01:52 · 669 阅读 · 0 评论 -
WNM4002-3/TR
WNM4002是N通道增强功能MOS场效应晶体管,采用先进的沟槽技术和设计提供优秀的RDS(ON)低栅极电荷。该设备适合用于小信号开关。标准产品WNM4002是无铅特征沟槽N通道 FAE:13723714318超高密度电池设计,适用于极低Rds(on)出色的导通电阻和最大直流电流能力采用SOT-523的小型封装设计品牌:WILLSEM型号;WNM4002-3/TR封装:SOT...原创 2019-03-28 14:24:21 · 518 阅读 · 0 评论 -
WPM2015-3/TR
单P沟道,-20V,-2.4A,功率MOSFET描述WPM2015是P沟道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电电路。标准产品WPM2015是无铅的无卤。品牌:WILLSEM型号;WPM2015封装:SOT23包装:3000年份:18+数量:50000特征FAE:1372371431...原创 2019-03-28 16:52:11 · 820 阅读 · 0 评论