IR2104死区时间异常，引起mos管空载发热

在做一款电机控制器时发现半桥驱动的频率从1k调整到15k之后，mos管在空载下的发热变的特别严重，直接多了250ma的电流损耗，一共驱动了3颗mos，上半桥一颗，下半桥一颗。随即开始查找问题的根源，在排除了mos管本身的问题、外围驱动器件的问题，pcb板本身的问题、驱动电路本身的问题之后，最终将问题定位在半桥驱动的死区时间过短上。

目录

一、简化原理图

二、发现的问题

三、解决方案

四、问题的根源

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一、简化原理图

二、发现的问题

在上桥打开时，下桥还没有完全关断，维持时间大概有100个ns左右的

在下桥打开瞬间，上桥还没有完全关断，维持时间大概有100个ns左右的

三、解决方案

中间通过换驱动电阻，减慢上桥启动速度，情况有一些好转，但还是没有完全解决问题。最终通过给各个mos管g极加入放电电路，解决问题。

电路如下：

原有驱动电路为：

加上电路之后的波形：

打开时，在上桥关断之后，下桥才开始打开，没有交叉

关断时，在下桥关断之后，上桥才打开，没有交叉

四、问题的根源

 

在半桥芯片的datasheet文档中，死区时间的典型值大概520ns，且不可调，而波形图中，驱动电路的打开和关闭明显超过了520ms，造成问题的发生。加上放电电路之后，mos管不在发热，控制板电流正常。