SN74LVC1G08DBVR

SN74LVC1G08DBVR是一款由TI生产的2输入正与门,适用于1.65 V至5.5 V VCC操作。其特点包括低静态功耗、高输出驱动,以及支持超小型DPW封装。该器件在3.3 V时的最大tpd为3.6 ns,具有低功耗、ESD保护和输入接受电压至5.5 V的特性。
摘要由CSDN通过智能技术生成

描述

该单路2输入正与门设计用于1.65 V至5.5 V VCC操作。SN74LVC1G08器件执行布尔函数或正逻辑。CMOS器件具有高输出驱动,同时在宽VCC工作范围内保持低静态功耗。SN74LVC1G08提供多种封装,包括体积为0.8 mm×0.8 mm的超小型DPW封装。

品牌:TI
型号;SN74LVC1G08DBVR
封装:SOT
包装:3000
年份:18+

特性

FAE:13723714318
提供超小型0.64平方毫米
包装(DPW),0.5毫米间距
支持5V VCC操作
输入接受电压至5.5 V.
向VCC提供向下转换
3.3 V时最大tpd为3.6 ns
低功耗,10-μA最大ICC
±24 mA输出驱动,3.3 V
Ioff支持实时插入,部分关机模式和后驱保护
闩锁性能超过100 mA
根据JESD 78,Class II
ESD保护超过JESD 22
2000-V人体模型(A114-A)
200 V机型(A115-A)
1000 V充电设备型号(C101)

电源可以是位于最小和最大电源额定电压之间的任何电压推荐的操作条件表。
每个Vcc引脚应具有良好的旁路电容,以防止电源干扰。对于单个设备电源,建议使用0.1μF电容,如果有多个Vcc引脚,则为0.01μF或0.022μF电容建议每个电源引脚使用。并联多个旁路电容可以抑制不同的频率噪音通常并联使用0.1μF和1μF电容。旁路电容应安装为尽可能靠近电源引脚

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