SC8810 DDR PCB设计指南

SC8810 DDR PCB设计指南：

8层HDI板叠层指导：

TOP：Component（RF）

L2：Signal

L3：GND

L4： Signal（重要信号）

L5：GND

L6： Signal

L7： Signal

Bottom：LCM，KEY

6层（HDI）板叠层指导：

TOP：Component（RF）

L2：Signal

L3：GND

L4：Signal（重要信号）

L5：Signal

Bottom：LCM，KEY

PCB叠层的选择：

1：单面器件，另一面只有电池或LCM等器件的要可以做6层板。

2：半截板，L型板，U型板，镂空板等板型怪异，两面有器件对着的板子一定要做8层板。

BaseBand和MCP布局：

如下图，BaseBand和MCP的P1脚采用如下的相对位置放置，两者之间留些位置方便走线，最好能有3mm以上。电容的位置要一组组分散在电源pin附近。

在Layout的时候要优先做好电源层和地。保证电源和地的完整。

DDR布线次序：

在DDR部分走线的时候，建议按以下的顺序来布线：
1.首先确定VDDMEM的电源平面和相邻层的地。电源平面先画好（6层板建议在L5层，8层板建议在L7层，TOP层是器件层）。
2.数据线
3.CLKDP，DM走线。
4.地址线和控制线
5.对于DDR的部分，一般数据线走在L1，L2层（表层的信号线尽量的短）。地址线，控制线走在L4层。

DDR 电源平面：

1.VDDMEM 一定要做电源平面（在BB的MCP区域和DDR区域，简单的说就是DDR的信号线到的地方都需要） , 相邻层要是地.电源和地层的间距不大于0.1mm， 对8层板 （器件在top层), 最好在L7层（相邻的L8层是地）。对6层板 （器件在top层), 最好在L5层（相邻的L6层最好是地）.
2.VDDMEM如果在电源平面外的线宽至少0.5mm
3.每个电源管脚都要有过孔到电源平面.
4.VDDMEM的电容要靠近电源管脚摆放，0.1和0.01UF的电容要搭配在一起，分散在DDR的周围,电容的地管脚要有地空到主地层。

DDR CLK：

1.DDR的CLKDP，DM要差分走线，并完全保护好。
2.DDR的CLK走线不能在表层走长线，要走到内层。

DDR数据线：

1.DDR的数据线总共有4组：BYTE0：DQ0~7，DQS0，DQM0； BYTE1：DQ8~15，DQS1，DQM1； BYTE2：DQ16~23，DQS2，DQM2； BYTE3：DQ24~31，DQS3，DQM3；
2.走线要组内一起走，并满足等长要求。
3.走线尽量在L1，L2层完全走完。
4.为方便走线，DDR数据线支持组内的交换（右下图）.

DDR 走线的等长要求：

1.CLKDP，DM的长度差最大1mm
2.DQS和CLK的长度差最大5mm
3.数据线，DQM线对 DQS线 (组内)长度差最大3mm
4.不同组的DQS信号的长度差最大4mm
5.地址线，控制线对CLK的长度差是最大5mm
6.地址线之间的长度差是最大6mm
7.相同性质的信号线上过孔的数量要一致 (DQ≤ 3,CLK,Address,control ≤4)

案例1：

1.8层HDI板，板厚0.8mm，叠层如下，没有电源层，等长基本符合要求。DDR时序有问题。
2.问题主要在于没有电源层。电源的电容也不多。