open drain 与 push pull

Open drain:

open drain 输出：输出端相当于三极管的集电极，要得到高电平需要上拉电阻才行。

栅极输入为0时，NMOS 的漏极和源极导通，输出为0。即Uce = 0 V。

栅极输入为1时，NMOS不导通，漏极高祖，输出为1（需要外部上拉电阻，上升沿比较缓慢）

 可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。形成 “与逻辑” 关系。如图，当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理：

push pull：

推挽输出：可以输出高,低电平,连接数字器件。 
栅极Vin输入 0 时，高侧PMOS 高阻，低侧NMOS导通，输出0。 

栅极Vin输入 1 时，高侧PMOS 导通，低侧NMOS高阻，输出1（不需要外部上拉电路，上升沿比较陡峭）。

参考链接：Open drain & push pull 原理(转)-CSDN博客

开漏Open Drain 和 推挽Push Pull 输出_open collector输出-CSDN博客

push pull较好讲解链接：open drain push pull 上拉电阻理解_强推挽输出-CSDN博客

推挽输出（Push-Pull）和开漏输出(Open-Drain)_0805开漏输出电路图-CSDN博客