#内存条
1.DDR5内存条为例,内存条通过四个插槽与主板相连,并且通过主板上的两个存储通道与CPU通信,两个内存条共用两个存储通道。四个内存条一个使用四个存储通道
2.每个内存条分为AB两个区域,同时每个区域都有4个内存芯片,每个芯片可以同时接受,输出8位数据,这也是为什么一个部分会有32根数据线,这两部分的数据线是分开的,整个内存条通过插槽与CPU有64根数据线相连
3.每个内存芯片又被分为8组,每组又分为4个库,每个库有65536行,8192个列,芯片内部有171亿个1T1C存储单元
#存储单元
1.存储单元由一个晶体管和一个电容器组成,晶体管用于访问和读写数据。电容器用于存储数据
2.给电容器充电到1V就代表存入二进制的1,释放电压到0V就代表存入二进制的0,因此每个存储单元只能存入一位数字
3.有两个导线与存储单元相连,字线连接到晶体管的栅极,位线连接到晶体管一边的沟道。
4. 当对字线施加电压,由于字线连接栅极,栅极通电压,晶体管就会打开,电子流过沟道。此时沟道通电会将位线和电容器连接到一起,因此通过对字线的控制来达到对电容器的充电和放电
#存储单元是如何工作
每个字线与行相连接,位线与列相连接。字线与位线处于不同层面,不会接触在一起。
2.从另外一个视角来看位线和字线和存储单元的连接
2.当一个字线被激活,那么这一条自线上的所有的电容器都会被激活,在任何给定时间内只能有一条存储单元是激活的,如何多条字线被同时激活,在一条位线就会有多个电容器连接,因此会发生短路
2.从内存读出数据,CPU会向内存发生一个31位的地址码,地址前5位用于查找数据所在的库,查找到后,关闭所在库中的所有字线电压,字线控制的是电容器的通电,因此电容器此时不与位线通电,从而隔离所有电容器0,然后将所有位线充电到0.5V
3.接下来的16位二进制用于查找数据位于哪一行,然后这一行的所有字线被打开,并且分别连接到他们的位线。
4.这个时候如何电容器存储的电压是1V,那么电荷会从电容器流向位线,数据就会丢失,但是位线有感测放大器,会检测到电压的微小变化,它也会将位线电压增至1V,以此防止数据流失。如果电容器为0V,那么感测放大器会把位线电压减至0V。
5.接下来的10位二进制,用于查找数据位于哪些列上,它会被发送到多路复用器上,然后根据10位地址值,找出8个列通过位线连接到底部的读取驱动器,将这8位数发送至CPU。
6.写入数据和前面所述基本相同,唯一不同之处在于最后的10位二进制找到对应的列后是通过写入驱动器来传递电压,传入电压的时候会覆盖先前位线的电压