半导体浸没式光刻

我得到它。
每个人都想谈论 EUV。
这是最性感的光刻技术，所有的镜子和紫色的紫外线灯。
但我认为我们不应该忽视 193 纳米浸没式光刻技术。
出现在 2000 年代初期，它使该行业比任何人都走得更远
从来没有预料到。
有时被称为 193i 仍然是主力，并且是许多领先的核心
边缘处理节点。
对于这个视频，我想看看它是如何工作的，以及在开发过程中克服的挑战
它。
## 浸入式光刻的工作原理
让我们首先从整个浸入式光刻技术的实际工作原理开始。
以前的光刻技术在晶圆和机器之间存在气隙。
浸没式光刻用水代替了气隙。
所以现在你正在通过水在晶片上发射紫外线。
您必须从字面上将镜头粘在水中。
为什么这行得通？
光刻可达到的结构尺寸取决于
工具的光学。
该分辨率，有时也称为临界尺寸，使用以下公式计算：
著名的瑞利公式。
我在之前的视频中已经讨论过这个公式，但这里又来了。
CD = k1 x λ / NA
λ λ 代表光的波长，同理。
k1 是一个具有物理极限的过程因子，我们已经接近它了。
浸入式光刻通过增加 NA 或“数值
光圈”。
它从之前的最大值 0.93 变为 1.35 或更高 - 收集和聚焦更多
光。
＃＃ 历史
浸没式光刻源自浸没式显微镜。
这是一项可以追溯到 1840 年代的古老技术，当时显微镜学家 Giovanni Battista
Amici 首先开始使用油，然后用水来提高显微镜的质量
图片。
然而，将浸没原理应用于光刻的第一个提议出现在 1980 年代。
几名日立员工在 1984 年申请的美国专利谈到在
镜头和光刻胶 - 包含 IC 设计的部分。
1985 年，Werner Tabarelli 和 Ernst Lobach，为美国公司 PerkinElmer 工作
提交了一项专利，该专利将镜头直接置于水中。
然后在 1987 年，当时为 IBM 工作的 Burn Lin 提议使用它来增强
用于当时新兴的 249 纳米光刻的焦深。<font style="vertical-align: inherit;">193当时还在
概念阶段。
1989 年，Hiroaki Kawata 和他的团队在大阪大学展示了这项技术
首次在 453 nm 波长下进行。
从那时起，随着光刻行业的发展，这个想法逐渐退居幕后
继续其发展道路。
＃＃ 下一个？
未来十年，半导体行业重点发展 193 纳米
光刻。
这种波长带来了巨大的挑战。
例如，大多数材料会吸收这种类型的紫外线，因此需要大多数新组件
被重新设计。
193 纳米最终交付，但之后会发生什么？
最初的想法是使用极紫外光达到 13.5 纳米波长
或极紫外。
然而，技术的延迟使得这对于即将到来的工艺节点来说是行不通的。
因此，行业转向 157 纳米光刻技术——最后一种可能的光学光刻技术
技术。
我在之前的视频中讨论了 157。
该技术的进展很困难，受到重大挑战的困扰。
## 沉浸式的转变
2002 年夏天，SEMATECH 赞助了一个 157 纳米光刻研讨会，用于
一般工业。
现任台积电研发主管的林伯恩博士原计划在那里发表演讲。
按原计划，演讲是讨论浸没式光刻技术和流体
延长157纳米光刻的使用寿命。
几位研究人员已经测试了沉浸式技术，以将 157 再延长几年。
十年前在 IBM 做过沉浸式实验的林有资格讨论
技术。
林的这番话急转直下。
在里面，他终于说出了所有人心中的想法。
157纳米皇帝没有衣服，技术挑战太大
规模化。
相反，他建议人们将浸入式技术应用于已经存在的 193 纳米
光刻技术。
这将是该行业第一次从一个波长过渡到同一个波长
波长。
林的演讲是半导体光刻的以太。
整个供应链已投入约 20 亿美元
157 的发展，现在林正在放弃这条病态的 diss 轨道……而且在 157 纳米
车间也不少。
但他是对的。
SEMATECH 在 12 月迅速组织了另一场研讨会，每个人都参加了
193i 技术的 10 个基本障碍。
进行了测试和实验，看看是否可以克服这些问题。
他们可以。
有一段时间，业界在 157nm 和 Immersion 之间摇摆不定。
然后在 2003 年 5 月，英特尔下降了 157 位，行业很快也紧随其后。
每个人都转向以足够快的速度开发 193i 技术以进行下一个主要流程
节点。
男孩们，看起来 193 纳米又回到了菜单上。
## 光刻动力学
193i 听起来像是 193 纳米技术的简单衍生产品。
但是你正在做的实际上是在已经是巨大的积木塔上泼水
不稳定、精密的技术。
新的光刻技术基于三个市场标准进行竞争：分辨率（其中
我们之前提到过）、准确性和生产力。
分辨率和准确性具有直观意义。
更高分辨率的机器可以对越来越小的线条进行图案化。
更准确无错误的机器模式。
生产力 - 有时也称为吞吐量 - 并不经常被提及
但同样重要。
您的机器制造晶圆的速度有多快？
通常以每小时处理的晶圆数量来衡量，产量不容小觑。
ASML TWINSCAN 机器比尼康和佳能同类产品卖得更好的原因之一
是他们可以处理更多的晶圆。
光刻机需要同时提供这三个方面。
如果它不能做到这一点，那么你所拥有的是实验室实验，而不是运输技术。
## 选择水
三个光刻机都选择了超纯水作为他们的第一代浸液
体液。
正确的浸液不应导致晶圆、透镜或
应用涂料。
它需要自由流动，不能吸收过多的紫外线，不能太敏感
形成气泡。
超纯水满足所有这些标准。
只有另一种液体——全氟聚醚，一种航空液体润滑剂——受到严重影响
考虑开始，但水更有意义。
他们已经在晶圆制造中使用它。
代工厂会选择不同的流体用于后几代的浸没式光刻。
## 呈现水
光刻机制造商尝试了多种方式来呈现水之间的水
透镜和晶片。
为了保持水的新鲜并防止晶片表面受到污染，水
必须不断移动。
首先，他们考虑了一种简单的循环浴，技术上称为基于晶片的配置。
晶圆浸入循环水箱中，水箱不断上下水
晶圆。
随着新的超纯水进入，脏水不断被抽出。
这让我想起了按摩浴缸。
这种设置的最大问题是你必须填充和清空整个按摩浴缸
- 我的意思是，每次在装载和卸载晶圆之前都要用水洗澡。
这增加了过程的时间，降低了吞吐量。
它还需要对现有光刻机的整个
路由和设置，这似乎是不必要的。
他们最终选择了另一种设置 - 称为淋浴配置。
在这里，您抽水使其仅流过晶片暴露的部分
镜头。
镜片经过后，吸力再次将水吸起。
可以想象，这种方法效果更好，代工厂最终选择了这种方法。
淋浴使用的水总体较少。
它可以集成到现有的 193 纳米机器中。
并且技术人员不必先等待浴缸装满和清空。
挑战是如何保持水流一致，如何吸走所有的水
所以不会留下任何东西，并防止水印，尤其是在周围区域
的镜头。
晶圆的边缘特别棘手。
边缘的产量已经是晶圆其余部分的一半。
而现在，当水泵到达晶圆边缘时，水会从裂缝中漏出。
然后它会被困在晶圆下面，形成真空。
如果没有建立保护和边缘检查工具来防止水进入下面
晶圆，然后水可以将晶圆吸到托盘上并吸走污染物
- 有损坏的风险。
## 气泡
另一个重要问题与减少气泡、污渍和颗粒的数量有关。
在光刻阶段，有很多运动。
当机器进行曝光时，机器正在移动晶圆 - 大约
每秒 500 毫米。
此外，水通过系统非常快速地泵送，打开然后关闭
晶圆。
当你像这样摇晃水时，它往往会产生气泡。
早期的 ASML 演示发现了这个问题，发现了 1 到 150 微米大小的气泡 - 两次
人的头发那么大。
水中的气泡会散射光子，这有两个后果。
首先，如果气泡足够大——通常大于所讨论的光波长
- 它在芯片上创造了独特的成像伪影；
其次，它削弱了深紫外光束的功率，因为​​光子被带走了。
较弱的光束意味着芯片设计图像不会强烈地印在晶圆上。
他们最终了解到，铸造厂必须在水进入之前对其进行“脱气”
沉浸区。
脱气现在是超纯水生成循环的常规部分。
## 面漆
将水直接放在晶圆上会产生新的污染问题。
SEMATECH 特别关注与抗蚀剂相关的水污染和浸出问题。
光刻工艺的一部分涉及光刻胶化学物质的应用
对 DUV 光照射起反应。
水可以将污染物从晶片带到光学透镜，反之亦然。
如果水以某种方式浸出足够的抗蚀剂化学成分，则抗蚀剂
可能会失去吸收 DUV 光的能力。
为了防止抗蚀剂被洗掉和污染镜头，铸造厂
开发并在晶圆上应用了所谓的“面漆”保护层。
这行得通，但它也增加了半导体制造过程的复杂性
- 为错误和缺陷创造更多机会。
业界普遍要求不要这样做。
另一种方法是修改光刻胶化学物质本身，使其具有疏水性或
防水的。
但显然只是在浸水阶段特别是 - 所以工程师们正在工作
使光刻胶的防水功能只有在旋转或烘烤步骤后才能显现出来。
考虑这些“自隔离”光刻胶所涉及的化学成分，真是令人惊奇
正如他们所说，但这就是半导体制造现在的发展方向。
## 光学
最后是光学。
我们不能在不提及蔡司光学的情况下讨论 ASML 光刻机。
蔡司必须为浸入式机器开发一种全新的光学系统。
旧的 DUV 机器使用的光学系统仅由折射或屈光透镜组成。
但更高的数值孔径意味着增加光学系统的复杂性。
1.2 的 NA 会使系统的大小增加 6 倍以上，这是不可接受的。
所以蔡司从屈光系统转向折反射系统——混合透镜和反射镜
一起大大减小了系统的大小。
然而，添加镜子的问题是镜子将光束分成两部分 - 原来的
光束及其反射双胞胎 - 您要确保两者不会干扰
彼此。
由于振动问题、极化问题、
并且不符合要求的 NA 编号。
他们最终选择的设计被称为内联折反射系统。
光线在精心布置的多个镜子之间来回反射，使光线
路径不会相互干扰。
## 超不适用
2003 年，ASML 向客户交付了第一台原型浸没式光刻系统
- TWINSCAN XT:1150i。
他们还发布了干式 ArF 工具的预生产版本 - XT:1250i。
第一个批量出货的浸入式步进器是 XT:1700i，它已发布
2006 年。
ASML 的日本竞争对手——佳能和尼康——花了更长的时间来开发沉浸感。
佳能一开始就没有发货。
尼康的第一个原型工具于 2004 年 10 月完成，比 ASML 晚近两年。
但比赛并没有结束。
第一代浸没式光刻工具问世后，ASML 和尼康立即转向
开发下一代浸没式光刻技术。
这些下一代系统将 NA 提高到高达 1.92，以便代工厂可以图案化
功能低至 40 纳米。
但它们也需要新的浸液，如磷酸氢盐或氯化铝
以及全新的光学系统。
ASML 轻松赢得了这场比赛，获得了他们今天众所周知的市场份额主导地位
为了。
领先的 193 纳米浸入式系统是 ASML 现已成熟的 XT:1900 系列，推出
十多年前。
2010 年，ASML 售出了他们的第 100 台这种浸入式 DUV 工具，这是一项了不起的成就。
＃＃ 结论
在西方使用了近二十年，可能有些人会动心
将成熟的浸没式光刻设备标记为“旧”或“遗留设备”。
但现实远非如此。
伙计们，这不是机械计算器。
现代沉浸式光刻技术可以带您一路到达 N7 节点。
193i 距离领先的 EUV 仅一代人，并且有迹象表明 EUV
可能永远不会成为 193i 现在的主力。
ASML 和尼康仍在定期改进他们最新的浸没式光刻机
发布包含改进的新迭代。
这仍然是最先进的技术。