纳米刀脉冲源CSMC-B10K/IRE&参数化脉冲源_高压脉冲纳秒脉冲电源

陕西天士立科技有限公司_高压_高流_高频_窄脉冲电源

全固态纳秒高压脉冲源、超宽带高压皮秒脉冲源、数百kV级的皮秒纳秒EMP/HPEM特斯拉发生器、系统集成和定制、参数化脉冲电源、

通用纳秒脉冲源、生物医疗脉冲源（IVL & IRE脉冲源） 半导体脉冲源（CMTI、TLP等半导体测试）

产品品牌：天士立

产品型号：CSMC-B10K/IRE

“天士立科技”电源事业部、集脉冲功率技术方面资深技术专家团队，致力于脉冲电源及脉冲功率技术研究与应用。在基于MOSFET/IGBT/DSRD及第三代半导体器件的脉冲电源方面有20余年的研究开发经验。公司的脉冲电源产品电压幅值从数kV到百kV级，脉冲上升时间从ps级到ms级，脉冲平顶宽度从0ns 到DC，脉冲频率可达MHz，可匹配阻性、容性(pF到nF)和感性负载。脉冲的波形可以是方波、三角波、指数波等，脉冲的关键特征参数均可编程控制。公司产品支持定制、半定制，应用范围涵盖材料处理、生物医学、半导体测试、电光调制、激光泵浦、农业食品、能源化工、环境治理、航空航天等科研和工业领域。

CSMC-B10K/IRE最高可产生+/- 10KV，峰峰值20 KV；可适用于极端的不可逆电穿孔（IRE）的肿瘤消融，以及相关的科研与学术研究。

CSMC-B10K/IRE因其优异的性能参数，包括：产生超高的电场强度，极快的陡脉冲，宽范围的脉宽调节以及瞬时的高速重频等，无论是复杂临床应用，还是进一步学术探索，HVP-B10都是你不二选择。

主要参数

• 脉冲形式：正向单脉冲、负向单脉冲、双向对称单脉冲、双向不对称单脉冲、正向多脉冲、负向多脉冲、双向对称多脉冲、双向不对称多脉冲；

• 可用负载：100 Ω – 300 Ω，（Option 50 Ω – 300 Ω）

• 脉冲幅度：± 10 kV (Peak)；误差±10%（额定负载 100Ω）；

• 脉冲宽度: 100 ns ~ 1 us;

• 最大重复频率：单次 ~ 300 Hz；

• 上升/下降沿时间：<100 ns （峰值50 A情况下，上升沿< 50 ns）

• 脉冲幅度衰减：100Ω 负载、10 kV 幅度、10 us 脉宽、单脉冲，脉冲后沿幅度相比前沿幅度衰减<10%（100Ω 负载、10 kV 幅度、10 us 脉宽，300 Hz，后一脉冲相比前一脉冲幅度衰减<5%）；

• 脉冲发放方式：手动启停、手动启停外部触发；外部触发

• 延迟时间：0~200ms；误差±1ms