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RSS订阅原创 热阻抗测试仪_陕西天士立科技ST-HeatX优替T3Ster_Phase11_热阻抗测试仪
热阻抗测试仪“陕西天士立科技有限公司”研发生产_平替T3Ster_Phase11热特性测试仪。产品符合JESD 51-1、JESD 51-14标准，用于DIODE、IGBT、MOSFET、HEMT、GTO、功率IC等多种类型功率器件及其模组瞬态热阻抗、热结构分析、结构函数输出（16600001664-VX）
2024-07-09 15:22:06
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原创 热阻测试仪_陕西天士立ST-HeatX_平替进口_热阻抗_热特性_瞬态稳态热阻Kcurve/Rth/Zth
热阻测试仪_陕西天士立ST-HeatX_平替进口。产品符合JESD 51-1、JESD 51-14标准，可输出结构函数，用于DIODE、IGBT、MOSFET、HEMT、GTO、功率IC等多种类型功率器件及其模组的_热阻抗_热特性_瞬态热阻_稳态热阻_Kcurve_Rth_Zth_热结构分析
2024-07-09 15:17:27
790
原创 半导体热特性热阻抗测试仪系统_陕西天士立科技研发生产_平替T3Ster_Phase11热特性测试仪
半导体热特性热阻抗测试仪系统_陕西天士立科技研发生产_平替T3Ster_Phase11热特性测试仪。产品符合JESD 51-1、JESD 51-14标准，用于DIODE、IGBT、MOSFET、HEMT、GTO、功率IC等多种类型功率器件及其模组瞬态热阻抗、热结构分析、结构函数输出
2024-07-09 14:38:18
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原创 100KV直流超高压脉冲电源_天士立科技_技术参数
陕西天士立科技有限公司“电源事业部”专业研发、销售高压、高流、高频、窄脉冲电源。全固态纳秒高压脉冲源、超宽带高压皮秒脉冲源、数百kV级的皮秒、纳秒EMP/HPEM特斯拉发生器、系统集成和定制、参数化脉冲电源、通用纳秒脉冲源、生物医疗脉冲源（IVL & IRE脉冲源）半导体脉冲源（CMTI、TLP等半导体测试）激光电源，高压电源，脉冲电源，定制电源，配套控制系统系列产品。
2024-06-26 15:49:39
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原创 100KV高压负脉冲开关电源_天士立科技_技术参数
陕西天士立科技有限公司“电源事业部”专业研发、销售高压、高流、高频、窄脉冲电源。全固态纳秒高压脉冲源、超宽带高压皮秒脉冲源、数百kV级的皮秒、纳秒EMP/HPEM特斯拉发生器、系统集成和定制、参数化脉冲电源、通用纳秒脉冲源、生物医疗脉冲源（IVL & IRE脉冲源）半导体脉冲源（CMTI、TLP等半导体测试）激光电源，高压电源，脉冲电源，定制电源，配套控制系统系列产品。
2024-06-26 15:44:52
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原创 斜坡发生器CSMC-B2000/CMTI&参数化脉冲电源_高压脉冲纳秒脉冲
斜坡发生器CSMC-B2000/CMTI&参数化脉冲电源_高压脉冲纳秒脉冲.全固态纳秒高压脉冲源、超宽带高压皮秒脉冲源、数百kV级的皮秒纳秒EMP/HPEM特斯拉发生器、系统集成和定制、参数化脉冲电源、通用纳秒脉冲源、生物医疗脉冲源（IVL & IRE脉冲源） 半导体脉冲源（CMTI、TLP等半导体测试）
2024-06-14 08:57:15
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原创 纳米刀脉冲源CSMC-B5000/IRE&参数化脉冲电源_高压脉冲纳秒脉冲
纳米刀脉冲源CSMC-B5000/IRE&参数化脉冲电源_高压脉冲纳秒脉冲,全固态纳秒高压脉冲源、超宽带高压皮秒脉冲源、数百kV级的皮秒纳秒EMP/HPEM特斯拉发生器、系统集成和定制、参数化脉冲电源、通用纳秒脉冲源、生物医疗脉冲源（IVL & IRE脉冲源） 半导体脉冲源（CMTI、TLP等半导体测试）
2024-06-14 08:52:32
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原创 高压脉冲模块HV-1000X2&参数化脉冲电源_高压脉冲纳秒脉冲电源
高压脉冲模块HV-1000X2&参数化脉冲电源_高压脉冲纳秒脉冲电源.全固态纳秒高压脉冲源、超宽带高压皮秒脉冲源、数百kV级的皮秒纳秒EMP/HPEM特斯拉发生器、系统集成和定制、参数化脉冲电源、通用纳秒脉冲源、生物医疗脉冲源（IVL & IRE脉冲源） 半导体脉冲源（CMTI、TLP等半导体测试）
2024-06-14 08:48:13
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原创 纳米刀脉冲源CSMC-B1500/IRE&参数化脉冲电源
纳米刀脉冲源CSMC-B1500/IRE&参数化脉冲电源,全固态纳秒高压脉冲源、超宽带高压皮秒脉冲源、数百kV级的皮秒纳秒EMP/HPEM特斯拉发生器、系统集成和定制、参数化脉冲电源、通用纳秒脉冲源、生物医疗脉冲源（IVL & IRE脉冲源） 半导体脉冲源（CMTI、TLP等半导体测试）
2024-06-14 08:45:28
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原创 纳米刀脉冲源CSMC-B2000/IRE&参数化脉冲电源_高压脉冲纳秒脉冲
纳米刀脉冲源CSMC-B2000/IRE&参数化脉冲电源_高压脉冲纳秒脉冲全固态纳秒高压脉冲源、超宽带高压皮秒脉冲源、数百kV级的皮秒纳秒EMP/HPEM特斯拉发生器、系统集成和定制、参数化脉冲电源、通用纳秒脉冲源、生物医疗脉冲源（IVL & IRE脉冲源） 半导体脉冲源（CMTI、TLP等半导体测试）
2024-06-14 08:42:38
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原创 纳米刀脉冲源CSMC-B3000/IRE&参数化脉冲电源_高压脉冲纳秒脉冲
纳米刀脉冲源CSMC-B3000/IRE&参数化脉冲电源_高压脉冲纳秒脉冲。全固态纳秒高压脉冲源、超宽带高压皮秒脉冲源、数百kV级的皮秒纳秒EMP/HPEM特斯拉发生器、系统集成和定制、参数化脉冲电源、通用纳秒脉冲源、生物医疗脉冲源（IVL & IRE脉冲源） 半导体脉冲源（CMTI、TLP等半导体测试）
2024-06-13 17:30:39
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原创 CSMC-10 10KV单极性脉冲电源&参数化脉冲电源_高压脉冲纳秒脉冲
CSMC-10 10KV单极性脉冲电源&参数化脉冲电源_高压脉冲纳秒脉冲。全固态纳秒高压脉冲源、超宽带高压皮秒脉冲源、数百kV级的皮秒纳秒EMP/HPEM特斯拉发生器、系统集成和定制、参数化脉冲电源、通用纳秒脉冲源、生物医疗脉冲源（IVL & IRE脉冲源） 半导体脉冲源（CMTI、TLP等半导体测试）
2024-06-13 17:22:51
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原创 CSMC-3000/CVDC心血管去钙化脉冲源&参数化脉冲电源_高压脉冲纳秒
CSMC-3000/CVDC心血管去钙化脉冲源&参数化脉冲电源_高压脉冲纳秒。全固态纳秒高压脉冲源、超宽带高压皮秒脉冲源、数百kV级的皮秒纳秒EMP/HPEM特斯拉发生器、系统集成和定制、参数化脉冲电源、通用纳秒脉冲源、生物医疗脉冲源（IVL & IRE脉冲源） 半导体脉冲源（CMTI、TLP等半导体测试）
2024-06-13 17:19:12
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原创 纳米刀脉冲源CSMC-B10K/IRE&参数化脉冲源_高压脉冲纳秒脉冲电源
纳米刀脉冲源CSMC-B10K/IRE&参数化脉冲源_高压脉冲纳秒脉冲电源。全固态纳秒高压脉冲源、超宽带高压皮秒脉冲源、数百kV级的皮秒纳秒EMP/HPEM特斯拉发生器、系统集成和定制、参数化脉冲电源、通用纳秒脉冲源、生物医疗脉冲源（IVL & IRE脉冲源） 半导体脉冲源（CMTI、TLP等半导体测试）
2024-06-13 17:14:45
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原创 CSMC-20 20KV单极性脉冲电源&参数化脉冲电源_高压脉冲纳秒脉冲
CSMC-20 20KV单极性脉冲电源&参数化脉冲电源_高压脉冲纳秒脉冲。全固态纳秒高压脉冲源、超宽带高压皮秒脉冲源、数百kV级的皮秒纳秒EMP/HPEM特斯拉发生器、系统集成和定制、参数化脉冲电源、通用纳秒脉冲源、生物医疗脉冲源（IVL & IRE脉冲源） 半导体脉冲源（CMTI、TLP等半导体测试）
2024-06-13 17:11:51
452
原创 CSMC-05 5KV单极性脉冲电源&参数化脉冲源_高压脉冲纳秒脉冲电源
CSMC-05 5KV单极性脉冲电源&参数化脉冲源_高压脉冲纳秒脉冲电源。全固态纳秒高压脉冲源、超宽带高压皮秒脉冲源、数百kV级的皮秒纳秒EMP/HPEM特斯拉发生器、系统集成和定制、参数化脉冲电源、通用纳秒脉冲源、生物医疗脉冲源（IVL & IRE脉冲源） 半导体脉冲源（CMTI、TLP等半导体测试）
2024-06-13 16:15:58
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原创 CSMC-10B 10KV双极性脉冲电源&参数化脉冲源_高压脉冲纳秒脉冲
CSMC-10B 10KV双极性脉冲电源&参数化脉冲源_高压脉冲纳秒脉冲全固态纳秒高压脉冲源、超宽带高压皮秒脉冲源、数百kV级的皮秒纳秒EMP/HPEM特斯拉发生器、系统集成和定制、参数化脉冲电源、通用纳秒脉冲源、生物医疗脉冲源（IVL & IRE脉冲源） 半导体脉冲源（CMTI、TLP等半导体测试）
2024-06-13 15:54:13
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原创 CSMC-05B 5KV双极性脉冲电源&参数化脉冲电源_高压脉冲纳秒脉冲
CSMC-05B 5KV双极性脉冲电源&参数化脉冲电源_高压脉冲纳秒脉冲 全固态纳秒高压脉冲源、超宽带高压皮秒脉冲源、数百kV级的皮秒纳秒EMP/HPEM特斯拉发生器、系统集成和定制、参数化脉冲电源、通用纳秒脉冲源、生物医疗脉冲源（IVL & IRE脉冲源） 半导体脉冲源（CMTI、TLP等半导体测试）
2024-06-13 15:31:12
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原创 CSMC-02 2KV单极性脉冲电源 参数化脉冲源_高压脉冲纳秒脉冲电源
CSMC-02 2KV单极性脉冲电源 参数化脉冲源_高压脉冲纳秒脉冲电源全固态纳秒高压脉冲源、超宽带高压皮秒脉冲源、数百kV级的皮秒纳秒EMP/HPEM特斯拉发生器、系统集成和定制、参数化脉冲电源、通用纳秒脉冲源、生物医疗脉冲源（IVL & IRE脉冲源） 半导体脉冲源（CMTI、TLP等半导体测试）
2024-06-13 14:58:12
303
原创 “陕西天士立科技”快讯｜首批IGBT模块静态动态参数测试设备产线工作站交付
IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，封装后的IGBT模块直接应用于EV、HEV、变频器、工业电机驱动、风力涡轮机、光伏装置、轨道交通、UPS、EV充电基础设施和家用电器等产品。特别是下游客户对其封装后成品的测试要求较高，随着IGBT模块的自主可控、国产化进程加速，国产测试系统产品需求也逐渐迫切，但是该领域的测试系统还处于国产化初期的客户验证阶段，预计2022年将开启全面国产化进程。图为IGBT封装流程。
2024-05-31 16:33:07
664
原创 半导体分立器件应用分析及测试方案
高压源1400V（选配2KV），高流源40A（选配 100A,200A,500A），栅极电压40V/100mA，分辨率最高至1.5uV / 1.5pA，精度最高可至0.1%，除静态参数还可测试“结电容” ，支持“脉冲式自动加热”和“分选机连接”，能够很好地解决客户在器件研发，来料检验，选型配对，失效分析等场合的测试需求，一机多用，堪称行业里的经典机型！新技术的引入需要将更多的机电控制设备应用于工业制造领域中，从而也需要相应的电源转化，而半导体分立器件是实现电源转化的核心元器件，促进了分立器件行业的发展。
2024-05-17 15:24:41
943
原创 半导体分立器件基础知识讲解
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)Notch=IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)击穿参数：BVCEO、BVCES、BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM、VBB、BVR、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO。
2024-05-17 15:23:17
902
原创 功率器件参数定义及测试方案
高压源1400V（选配2KV），高流源40A（选配 100A,200A,500A），栅极电压40V/100mA，分辨率最高至1.5uV / 1.5pA，精度最高可至0.1%，除静态参数还可测试“结电容” ，支持“脉冲式自动加热”和“分选机连接”，非常适合“来料检验 ”“失效分析 ”“选型配对 ”“量产测试 ”等不同应用场景下的功率器件参数测试。VGSTH是指加的栅源电压能使漏极开始有电流，或关断MOSFET时电流消失时的电压，测试的条件（漏极电流，漏源电压，结温）也是有规格的。反向传输电容等同于栅漏电容。
2024-05-17 15:22:46
1021
原创 光耦参数测试仪系统
陕西天士立科技有限公司/STD2000/光耦参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线
2024-04-23 10:37:48
970
原创 光耦静态直流参数测试仪系统
陕西天士立科技有限公司/STD2000/光耦静态直流参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线
2024-04-23 10:36:52
762
原创 晶体管正向偏置安全工作区测试系统ST-FBSOA_X
测试规范：IEC60747-9、IEC60747-2、GB/T29332、GB/T4023；测试工装有“手动式”“气动式”“电子开关式”供选择，不同封装外观，更换“DUT适配器”即可；高温测试，支持室温~200℃，±1℃@0.5℃
2024-04-22 16:10:08
470
原创 IGBT模块动态特性测试系统STA3500
开通/关断延迟td(on)/td(off）：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4%开通/关断时间ton/toff：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4%导通/关断峰值电压Vce/VCEpk：50-1400V解析度/精度：1V@±4%上升/下降时间tr/tf：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4%通态峰值电流Ipeak/Ic：20-1500A解析度/精度：1A@±4%关断拖尾时间tz：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4%
2024-04-22 16:05:05
880
原创 STA1200晶体管动态特性测试系统
适用于Si（选配 SiC , GaN）材料的单管级IGBTs, Diodes, MOSFETs，的动态特性测试电压源 1200V（选配 2000V）电流源 100A（选配 200A/300A）驱动电压±20V（选配±30V）个性单元与主机灵活搭配，计算机程控操作
2024-04-22 15:58:44
869
原创 晶体管动态特性测试系统STA1200
专注宽禁带功率器件动态参数评测，软件程控，测试条件界面化输入，系统闭环处理，自动调节一键测试,采用光纤驱动信号通讯，响应速度快，抗干扰能力强
2024-04-22 15:17:05
548
原创 IGBT模块动静态测试自动化产线
产线由上料机、模块动态测试设备（包含预加热系统、自动化传送系统、冷却系统、测试系统)、模块静态测试设备(包含独立的绝缘测试、静态测试、3D拱度测试及全尺寸测试部分)、下料机等组成。
2024-04-22 14:37:53
382
原创 IGBT模块直流参数测试系统STD6500
用于大功率IGBT和Diode模块的静态直流参数测试。电压10KV,6.5KV,4.5KV,3.3KV；电流10KA,5KA,2400A,1600A。智能化、自动式操作基于“测试主机”“计算机程控系统”“气动工装”协调完成。DUT连接“气动工装”“软连接”均可
2024-04-22 14:27:03
433
原创 半导体分立器件静态参数测试仪系统STD2000
覆盖25类常见的电子元器件及IC类，且支持定制扩展。功能全面，配置丰富，胜任实验室场景中各类电参数表征。
2024-04-22 14:21:15
882
原创 光耦参数测试仪STO1400
ST-OC1400光耦参数测试仪是一款布局紧凑、功能全面、界面友好、操作简洁的单机测试仪器。专为各类光耦参数测试而设计开发，可测试各类单通道、双通道、多通道的模拟光耦，数字光耦，高速光耦，线性光耦等。测试参数包括“耐压BVCEO/BVECO”、“输入正向压降VF”、“输出端反向漏电流ICEO”、“反向漏电流IR”、“电流传输比CTR”、“输出导通压降 VCE(sat)"..….可测具体参数数值也可以进行筛选性测试，既合格/不合格（OK/NO)
2024-04-22 14:12:12
280
原创 IGBT静态参数测试仪STD2002
可以测试IGBT、Mosfet、Diode等。测试参数：静态参数，包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢复二极管的VF、ICES等参数
2024-04-22 14:04:50
585
原创 晶体管正向偏置安全工作区测试系统ST-FBSOA_X
陕西天士立科技有限公司/ST-FBSOA/晶体管正向偏置安全工作区测试系统，可以测试Si,SiC,GaN,材料的器件级和模块级的IGBT,MOSFET的FBSOA（正向偏置安全工作区）。安全工作区设备包括“正向偏置安全工作区FBSOA”“反向偏置安全工作区RBSOA”“短路安全工作区SCSOA”
2024-04-18 21:06:35
1084
原创 IGBT参数测试仪系统
陕西天士立科技有限公司/STD2000IGBT参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线
2024-04-09 09:29:15
738
原创 IGBT测试仪系统
陕西天士立科技有限公司/STD2000/IGBT测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线
2024-04-09 09:23:01
1140
原创 光耦开关时间参数测试仪系统
陕西天士立科技有限公司/STD2000/光耦开关时间参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线
2024-04-09 09:18:27
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